TI中文支持网Part Number:DRV8303Other Parts Discussed in Thread: DRV8301-HC-C2-KIT,
请问我想用DRV8303或者同型号的芯片，做一个无传感器的直流电机驱动，请问有什么方案吗？感谢
Cherry Zhou：
您好，我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
您好，想和您确认下，您说无传感的直流电机驱动，指的是无传感器无刷直流电机吗？不是刷直流电机是吧？
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是无传感的直流电机驱动，谢谢
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您好，我DRV8303中加入一个反电动势过零点比较电路，用示波器得到的端口电压与中心点电压比较后的波形，波形不理想，不知道是否能被控制mcu采集到。
请问你们有这方面的例程吗？
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Cherry Zhou：
? ? 说：是无传感的直流电机驱动，谢谢
好的感谢您提供的信息。
请问您是打算用无传感器 FOC 控制还是无传感器梯形控制？ 您可以先从DRV8303EVM看起，因为该器件还可以使用 DRV8301-HC-C2-Kit 中的固件支持几种无传感器解决方案。 有关在 EVM 上运行无传感器固件的更多详细信息，您请参阅 DRV8303EVM 用户指南的第 5 节。 可以从 DRV8303EVM 页面下载 DRV8303EVM 原理图，以用作您设计的参考。 EVM 还可以支持传感器控制，因此原理图中有一些部分仅适用于传感器控制。
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您好，我DRV8303中加入一个反电动势过零点比较电路，用示波器得到的端口电压与中心点电压比较后的波形，波形不理想，不知道是否能被控制mcu采集到。
请问你们有这方面的例程吗？
这个再帮您跟进给工程师哦，会尽快给到您答复。
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非常感谢您的建议！
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Cherry Zhou：
? ? 说：
我DRV8303中加入一个反电动势过零点比较电路，用示波器得到的端口电压与中心点电压比较后的波形，波形不理想，不知道是否能被控制mcu采集到。
请问你们有这方面的例程吗？
您好，请问您是用梯形控制还是正弦 / FOC 控制？ 梯形控制的back-EMF（反电动势）测量更简单，因为一直有一个Hi-Z 相位用于计算反电动势。
对于正弦或 FOC 控制，由于所有 3 个半桥始终都在切换，因此计算反 EMF 更复杂些。 因此在使用 FOC 或正弦控制时，您需要了解一些电机参数来正确计算反电动势。
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是方波控制，利用反电动势比较，有什么注意事项吗，您看看这个文件，是我目前的比较电路和从比较后的波形。您有什么建议吗？反电动势.docx
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Cherry Zhou：
好的收到了，已经反馈给工程师帮您看下，有答复的话尽快给到您。
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Cherry Zhou：
您好，为了更好地解决您的问题，您能否提供以下信息：
1. 电机电源电压是多少？
2. 在您给出的波形中，前 3 个波形显示的振幅波形实际上很小，小于 1V。 这些波形是在电路板上的哪个点上测量的？ 在原理图上的探测位置是？
3. 最后 7 张图片显示了大约 6V 的振幅。 在何处测量？ 如果方便的话，您请在原理图上标明每张图片的探测位置？
4. 您给出的文档中有 2 个原理图的一部分，显示了相位电压感应。 两个原理图显示了不同的配置和不同的组件值。 您现在使用的是哪一个？
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反电动势 – 2.docx 您好，您看看这个文件有没有说清楚
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Cherry Zhou：
好的，可以的，已经跟进给工程师了哈。
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Cherry Zhou：
您好，根据您提供的信息，电压是18V，前三个波形图是在SH_x 节点处测量的。但是从图中看到 SHX 电压不会超过 1.5V， SHX 电压也不会一直到接地。 正确的波形将显示 SH_x 在高侧 MOSFET 打开时一直到 18V，在低侧 MOSFET 打开时一直到 GND。 您提供的波形好像没有显示 MOSFET 开关正确。 前 3 个波形是不是我们这边看到的有误？ 如果是的话，您能够提供下 GHx 和 GLX 波形以及 SHX 来查看 MOSFET 是否正确切换？
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Cherry Zhou：
您好，不知道您的问题是否有什么新的进展？
