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TMDXIDDK379D: 关于IDDK开发套件LEM传感器过流保护阈值的疑问

Part Number:TMDXIDDK379DOther Parts Discussed in Thread:BOOSTXL-DRV8301, DRV8305, BOOSTXL-3PHGANINV, INA240

如该部分描述,LEM过流保护阈值为11A

上图为该部分电路,按照图中电路计算原边电流为11A时的传感器输出为

LTS 6-NP:( 11 / 3 ) * 0.625 + 2.5 = 4.792V

CAS 6-NP:11 * 2 * 0.1042 + 2.5 = 4.792V

4.792V经过后级运放的处理需要乘以0.66,即4.792 * 0.66 = 3.16272V

这个电压值与后续比较电路设定的阈值3.1565V基本一致:

然而,对于电流传感器而言, 4.792V已经超出了传感器输出的线性范围

请问文档中描述的LEM传感器过流保护阈值11A是不是有问题?

Cherry Zhou:

您好,感谢您提出的问题,我们已升级到英文论坛进行查看,如有答复将尽快回复您。谢谢!

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Cherry Zhou:

您好,工程师确认了下,您提到的问题确实存在。霍尔传感器正在饱和一个 11A,之后的跳闸发生或者不发生都有可能(它确实在边界上)。 可以通过更改下面显示的 TrpRef 电阻分压器,来设置和降低跳闸电流。 理想情况下,可设置的最大跳闸电流为 ~10.2A,且 TrpRef 为 ~3.05V。

我们会提交申请来改进该问题,再次感谢您的指正。

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user78960159:

好的 感谢您的帮助 类似的问题在其他一些设计中也有

BOOSTXL-DRV8301

内置检流放大器的特写如下:

电流采集部分设计如下:

采样电阻10mohm,中点电压为二分之一AD采集范围及1.65V,8301内部可设定的增益设置为10

因此这里的采集范围16.5A * 0.01ohm * 10 = 1.65V,设计上是±16.5A对应0至3.3V,

但是根据检流放大器的输出线性范围,这里的设计显然也是超出放大器的线性输出范围了

开发套件的C相检流放大器特新我没有看,大家使用的时候也同时注意一下

BOOSTL-DRV8305

电流采集部分设计如下:

采样电阻7mohm,中点电压为二分之一AD采集范围及1.65V,8305内部可设定的增益设置为10

因此这里的采集范围20A * 0.007ohm * 10 = 1.4V,设计上是±20A对应0.25V至3.05V,

DRV8305检流放大器特性如下:

可以看出,+20A时没有超出运放的线性区,但是-20A时,超出了运放的线性区(低于0.3V)

BOOSTXL-3PhGaNInv

电流采集部分设计如下:

采样电阻5mohm,中点电压为二分之一AD采集范围及1.65V,使用放大倍率为20的INA240A1

因此这里的采集范围16.5A * 0.005ohm * 20 = 1.65V,设计上是±20A对应0V至3.3V

电路中INA240的VS = 3.3V

注意INA240的输出摆幅会受VS限制

因此也是无法满足16.5A对应3.3V的设计。

以上3个开发套件的问题是一样的,都是运放输出和电源轨的问题,检流运放多为单电源供电,其输出受电源轨限制,这个特性设计的时候需要考虑一下

请TI工程师确认

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Cherry Zhou:

好的,收到,我们会请工程师再看下该问题。

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