TI中文支持网Part Number:LM5116
项目背景：输入电源：30V-70V，输出需求：24V/8A；
问题描述：目前空载的时候，电源48V给板子供电，电源输入端有40mA电流，电压输出24V正常；
问题1：空载情况下有40mA的电流是否正常？？
问题2：上述空载情况下电感有点发烫？
目前调整了一下参数，问题依旧，是否有好的建议，谢谢！
Johnsin Tao：
HI
这种外置MOS 的控制芯片，在没有powersaving模式的情况下，静态电流是会很大的，一般20~30mA是有可能的，40mA有些大。
建议选择Qg尽量小的MOS, 工作频率略微低一点，如200kHz左右， 这样都可以有效降低静态电流。 如果要提高效率，VCC建议电感绕组供电。
空载电感发烫，首先确认一下驱动上是否有异常，其次输入电容略微放大一点点。从描述看24V正常，意味着电感上没有异常震荡，再确认一下电感质量。
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shao chen：
HI 感谢回复！
在今天调试中，还有如下的疑问，帮忙解答，谢谢！
问题1：
电路参数：功率电感参数：电感值：15uH 精度：±20% 额定电流：8.5A 直流电阻(DCR)：29mΩ； 输入48V，输出24V，工作频率：250KHz（Rs=12.4KR）；
我将Cramp电容进行调整，在220pf内（试过180pf，200pf），输出电压不到为24V只有22V，直流电源的电流降低到12-20mA，空载功耗下降，电感不发热。但是此时不能带载，带载时会把电压拉低，同时反馈电压低于1.215V；
当Cramp电容调整到220pf以上-470pf时，输出电压正常24V，空载时电流源的电流40mA，能正常带载；电感发热；
疑问：Cramp电容会有这么大的影响吗？？？Cramp电容越大发热越快，电流源输出电流越大，这是为什么？？？
问题2：
电路参数：功率电感参数：33uH ±20% 5.5A 75mΩ； 输入48V，输出24V，工作频率改变，Rs电阻改为：15.8KR；
空载时：Cramp的电容现象和上面一样，此时容值要选择要大一些，几nf的时候会发热很快，几百pf的时候相对不怎么热；
将Cramp电容改为470pf时，电源输出电流还是一样40多mA，但是电感相对不那么热，比之前相对效果好；
目前还有什么方法可以将功耗和电感发热降低吗，目前是空载，带载的情况是不是更热？？？？期待回复，谢谢！
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Johnsin Tao：
Hi
上面提到调整频率，和选择Qg尽量小的MOS 有做确认吗？
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shao chen：
HI
昨天测试的时候有把频率调低，大概220Khz时，配合其他参数调整电源的输出电流有降低，大概33mA左右，后面再把频率调低变化不大；
Qg尽量选择小的MOS，今天已经找到物料，预计明天测试；
另外说的电感发热问题，从调试来看和电感本身关系不大，我把LM5116外围参数调整后，现在电感相比之前发热不那么严重。感觉还是需要把功耗调低，电感发热才会消除。
