TI中文支持网Part Number:DRV8873Other Parts Discussed in Thread:DRV8412
1.接VM接12v时芯片不怎么发热，接负载电机也正常。DVDD内部的电压5V正常；
2.当VM接到24V时电机驱动芯片发热严重很烫，电机内部的DVDD的电压4V，感觉是内部的LDO消耗了大量功率导致芯片发热异常。
3.问题是我需要用到24V的输出给到电机，请问要怎么改善
Jingcheng LUO：
请问一下芯片内部5V,LDO的输入电源是电荷汞VCP提供的是吧，如何解决VM接24V 把芯片的发热温度降下来，从硬件上设计？
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Jingcheng LUO：
24V+5V=29V压降,24V的压降对于内部LDO芯片有点大，消耗的功率多，发热异常。 芯片手册写着VM4.5V-38V都可以正常工作。我设计要输出24V给电机的，请问设计该怎么改善让内部的LDO温度降下来
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Jingcheng LUO：
正常VM接12V的时候DVDD现在输出变成4V，那个接VM接24V得我芯片已经坏了,VM接12v，VCP没有升压，DVDD也变成2.2V了，内部的LDO芯片烧了感觉
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Cherry Zhou：
您好我们已经收到您的问题并反馈给工程师，如有答复将尽快回复您。谢谢。
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Jingcheng LUO：
补充一下这里描述有错误，有两块芯片1.一块芯片VM接24V电压发热严重，VCP的电压=VM电压（这里的电荷汞没有升压作用了，是否芯片内部的电路损坏），DVDD输出3V(芯片手册给的典型是5V才正常)；需要说明一下的是：这块板子VCP到VM引脚的电容耐压值选错了选成16V，然后VM电压接了24V,经过更换后，接24V出现了上述描述的情况，需要分析下硬件电路那部分参数配置错了，导致电机驱动芯片发热损坏？
2.另外一块，目前把DVDD的电容耐压提高到了16V和VCP到VM的电容耐压提高到了50V,通电使能，各点电压正常（除了CPH=VM,芯片手册给的CPH=VM+5.7V，这里是否有问题？）
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Cherry Zhou：
您好请问您是否可以整理一下您的问题？这样方便我们提供给工程师，并给您准确的答复。谢谢！
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Jingcheng LUO：
1.一块板子，芯片VM接24V电压发热严重，VCP的电压=VM电压（这里的电荷汞没有升压作用了，是否芯片内部的电路损坏），DVDD输出3V(芯片手册给的典型是5V才正常)；需要说明一下的是：这块板子VCP到VM引脚的电容耐压值选错了选成16V，然后VM电压接了24V,经过更换后，接24V出现了上述描述的情况，需要分析下硬件电路那部分参数配置错了，导致电机驱动芯片发热损坏？
2.另外一块板子，目前把DVDD的电容耐压提高到了16V和VCP到VM的电容耐压提高到了50V,通电使能，各点电压正常（除了CPH=VM,芯片手册给的CPH=VM+5.7V，这里是否有问题？）
3.我需要驱动24V的电机，所以母线电压要24V，但是这样会导致芯片发热严重，此发热我怀疑是芯片内部的5V LDO压接过大消耗的功率，问题是我需要用到24V的输出给到电机，请问要我上诉的电路应该怎么改善？
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Cherry Zhou：
为了更好地解决您的问题，您能否提供以下信息：
nSLEEP 是如何连接的？ 它是否连接到 MCU 进行控制？ 请注意：nSLEEP不能保持浮动。
电荷泵似乎不会正常上升。 在这种情况时， VDD 是什么？
我们认为5V 稳压器不是过热问题。
芯片可能受到某种程度的损坏，是在尝试驱动电机之前损坏还是在驱动电机一段时间后损坏？ 以及nFAULT 的状态是什么？
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Jingcheng LUO：
nSLEEP连到了MCU控制，默认是上拉的
nFAULT 的状态一直是低电平
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Jingcheng LUO：
之前VCP和VM之间的电容耐压弄成了16V, 然后接的电源是48V，然后那块芯片的DVDD变成2.4V了
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Cherry Zhou：
好的感谢您提供的信息，已反馈给工程师，如有答复将尽快给您回复。
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Cherry Zhou：
您好，该器件的最大绝对电源为 40V。 在 48V 电压下，它们会损坏器件。
该器件不适用于 48V 。 TI所拥有的 48V 集成器件只有 DRV8412。
希望以上回答对您有所帮助，如有其他问题请随时联系我们。
