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BQ24610: 有一个问题请教

Part Number:BQ24610

目前我在使用BQ24610RGER 这个芯片,HIDRV和LODRV用的是30V/6A SOT-23的N管,在生产测试后,发现有四片的这两个管子被击穿。

从现象上看,是电压击穿的、输入的DC电压是25.6V,能否告知是什么原因引起的?是管子耐压不够?还是什么原因?

我们担心大批量生产出问题。

Star Xu:

您好,评估板的上下管MOS的规格如下,MOSFET, NChan, 40V,50A, 4.5millohm,建议使用跟评估板推荐的MOS规格差相似。

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James Lee94:

评估板子上选择的是SIS412DN这个管子,30V/12A的管子?这个能否详细说说产生的原因?

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Star Xu:

您好,是否方便提供电路?

具体是在什么情况下发现MOS击穿的?

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James Lee94:

目前是在试产的时候,发现四个电路被击穿,同时BQ24610有四个损坏。p管用的30V /15A 充电的管子用的是30V/6A.

发现四个芯片被损坏,还有就是有四个板子的充电MOS管全部被损坏(Q4,Q5)

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Star Xu:

您好,您的问题在E2E英文论坛已有工程师跟进,请继续关注

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1009749/bq24610-bq24610-high-side-fet-broken

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