TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

BQ24600: 电池端口接入锂电池后,导致控制芯片及下MOS损坏

Part Number:BQ24600

电路参考官方设计,电池设定电压为17.6V,接入电池瞬间导致下MOS及BQ24600芯片损坏,测量波形大概原因为插入电池瞬间,电流经过电感给电容充电,然后导致电压过高所致。请问一下,如何修改电路比较合适

Star Xu:

您好,正在查询,稍后回复

,

Star Xu:

您好,是否方便提供完整的电路图?电路上没有ISET的设置,设备损坏时的设置是什么? 输入电压是多少? 您是否检查过布局以确保它与原理图相符?

,

user5961591:

设置电流为4A,芯片损坏时,电池电压为16V,通过示波器抓取MOS前端滤波电容10UF*2(C17 C18)电压值可能到达35V以上,去掉一个10uf(X7R)电容就好了,然后我又加入了一个电解电容22uf(等效串联电阻1欧姆左右),现在电路可以正常运行了

,

user5961591:

电路电流设置为4A,芯片损坏时,电池电压为16V,经过实际示波器测量MOS前端滤波电容(C17 C18 10uf*2 材质X7R)电压可能达到35V以上,后来去掉一个滤波电容,过冲电压明显减弱,后来又增加了一个22uf电解电容(等效串联ESR为1欧姆左右),问题解决。

另外,如果先接通输入端电源,然后再插入电池则不回损坏芯片。我基本可以断定是电池插入瞬间(等效阻抗非常低),经过电感给电容充电导致,但是你们的推荐电路里面推荐的还是10uf*2的X7R电容,你们的就没有遇到这种问题么

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » BQ24600: 电池端口接入锂电池后,导致控制芯片及下MOS损坏
分享到: 更多 (0)