TI中文支持网Part Number:LM5060-Q1
datasheet中8.2.2 Figure39电路图中几个元器件的作用没太理解。
1.这个电路的目的是反极性，反极性的意思是VOUT和GND接反了？还是VOUT接到了比VIN还要高的电压？还是都包括？
2.D5是如何起到在关断时候，能够快速关闭MOS管的？除了这个方式，还有其他方式可以快速关闭MOS管吗？
3.D6,Q3,R2说是在反向时防止Q2,VGS电压过高被击穿，他看他的原理是当GND接高时，Q3导通，Q2的GS电压就是三极管Q3的压降了，这样限制了GS电压，从而保护。如果我说的正确的话，D6是什么作用？
4.是接着第三个问题说的，如果我的第三个问题描述的思路是正确的，把D6,Q3,R2删掉不可以吗？删掉后这部分电路后，Q2的VGS电压是怎么会变高的？还有我在Q2的VGS加稳压管能不能取代这个作用？
5.当VOUT和GND反接时，GND为高压，那不会从OVP,UVLO电阻倒灌到VIN吗？这样岂不是没有防反作用了？
6.D1的作用，只说了防止极性反转，怎们防止反转的没太明白，可以具体描述一下吗？
Johnsin Tao：
Hi
防止反向是指输出有电压，会有反向电流流向输入。
Gate为低时，可以作为放电回路。
作为推荐电路还是建议按照这样接，而作为保护电路D6,Q3等可以去掉（但不建议）。
输出反向，没有保护设计。
D1应该是为了防止来自芯片内部的电压（Vout有电压，而输入没有电压时）
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XIN LI：
您好，
1.防止反向是指的VOUT电压大于VIN的情况是吗？
2.GATE为低时，VOUT放电到GATE是吗？这样有没有烧毁GATE的风险？
3.D6的作用是什么？其他疑问我明白了
谢谢
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Johnsin Tao：
Hi
反向是输出有电压，而没有输入的情况（也适用于输出电压大于输入）
确实这个好像只有这个芯片有这样的设计，说明内部的MOS可以承受，但是建议输出电容不要特别大。
D6电路是防止输入极性反，所以D6反向不通，同时Q3导通。
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XIN LI：
您好：
D6的作用：我理解您的意思是当VIN和GND接反时，如果D6接反的话（上负下正）GND通过R2，通过D6，通过Q1的体二极管到VIN。为了防止这种情况是吗？如果是这样的话，那么没有D6，Q3的B极和E极什么都不接，不是也可以吗？
关于Q3具体是怎么保护Q2的我还是没太想明白，当输入和输入都是什么情况下，电流是怎么走的？
我发现datasheet中有个错误跟您确认一下，这里说的D5应该是D4吧。（在问题图片中就有这句话）
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Johnsin Tao：
HI
D6, Q3 and R2 protect Q2 from VGS damage in the event of reverse input polarity.
所以我理解是输入反向， 如果你有板子直接通过测试来确认更容易理解。
