关于CC2640R2F休眠功耗问题，做了DES算法运算后进入usleep()电流出现很多个小脉冲，不执行DES算法进入usleep就不会，请求大神指点！！

用CC2640R2F加一款读卡芯片做了一款低功耗读卡器，读到卡后执行usleep(5000)进行休眠，读普通IC卡进入休眠电流平均是在30uA左右，电流曲线用电源分析仪看比较平缓的曲线，但读了CPU卡后休眠后会出现很多电流脉冲，间隔大约2.5ms，尖峰的电流大约800uA，导致平均电流增到到100uA,跟踪程序调试发现是执行了DES算法后导致的，而且DES算法的密钥值不一样电流也有差异（电流脉冲数或者平缓的电流大小有差异），不知道CC2640R2F执行完DES算法运算什么地方在活跃，请求帮助！！！！！！

正常休眠电流波形（一个大尖峰处是唤醒处电流，平缓处是执行usleep后电流，很平缓）：

做完DES算法运算之后进入usleep的电流波形（图中看到小电流脉冲是执行DES算法后出现的，间隔约2.5ms）：

Viki Shi：

需要研究一下，稍后再来回复

user5390182：

回复 Viki Shi:

好的谢谢~

Viki Shi：

请提供一下： 1、应用的具体实现以及基于什么例程/做了哪些修改 2、协议栈版本

user5390182：

回复 Viki Shi:

TI大神你好，我们的程序没有用到蓝牙，似乎我们没有用到协议栈。

安装的SDK版本是：simplelink_cc2640r2_sdk_1_40_00_45

参照的例程是安装完SDK里面带的例程是：usleep(standbyDuration)

跟踪程序就是在进行完DES算法验证后进入usleep电流出现异常的，执行完圈出的这个函数（DES算法）：

程序是在这个休眠函数增加实现3des运算功能，3des加密解密数据时，用秘钥{0x63,0x60,0x62,0x52,0x50,0x50,0x35,0x50,0x35,0x30,0x38,0x30,0x35,0x34,0x40,0x36}加解密数据后休眠，电流是正常的，用{0x95,0x68,0x59,0x00,0x66,0x76,0xa5,0xfe,0xab,0xa0,0x00,0xeb,0x7e,0x04,0x1a,0x3f}秘钥加解密数据后，休眠电流不正常，变大了，出现了间隔2.5ms的电流小脉冲

Viki Shi：

回复 user5390182:

了解，是否可以在最新版SDK上测一下，1.40说实话有点太老了，版本更新会修复bug及优化程序

user5390182：

回复 Viki Shi:

好的谢谢，那我们先换SDK再测试下是否还是那样的情况先，现在最新版本是V4.20吗？

Viki Shi：

回复 user5390182:

是的

user5390182：

回复 user5390182:

感谢你们的帮助，换成SDK4.2版本解决了休眠电流大的问题了，但是又遇到另外的问题，编译SRAM变大了，我们要减少，然后屏蔽一下驱动没有用的，比如说SPI我们没有用到，但是屏蔽到了编译有这个错误这么解决？我们想把SRAM减小到58%左右，屏蔽CC2640R2_LAUNCHXL.c中的，例如屏蔽没有用到的SPI会有这个错误，怎么解决，我们自己用的变量并不多。

user5390182：

回复 user5390182:

user5390182：

回复 user5390182:

编译报错情况我附图(SDK v4.2)：