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GaN半桥驱动芯片lmg1210的独立输入模式(IIM)相关问题

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,该 LMG1210 具有 两种控制输入模式:独立输入模式(IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入独立控制。

在lmg1210技术文档中提到:该驱动芯片的两个输出HI,LI不能同时为高,控制器负责确保LI和HI的on-time不会重叠,从而导致击穿。这里指的是HI与LI受制于半桥拓扑直通的危险而不能同时为高,还是指在独立输入模式下由于芯片本身设置导致两个输出不能同时为高?

本人在初研多电平变换电源时,发现在拓扑上相邻的两个开关管驱动信号并不互补,存在同时导通的情况,想询问在这个方面LMG1210的独立输入模式能否胜任。如果可以同时控制输出导通时间重叠,那么参数表中的t MTCH这一物理量应如何理解?

谢谢

Johnsin Tao:

HiIIM模式下,Hi,LI 两个驱动信号来自主控芯片,需要避免同时为高的情况,因为这个时候会导致驱动的2个MOS同时导通,那么这个时候相当于输入电压直接到GND,假设你这个时候输入电压是200V,而2个MOS的导通电阻是100ohm甚至更小,那就是2000A的电流,这种情况当然要避免,因为一定会烧MOS.

Shikuan Ma:

回复 Johnsin Tao:

谢谢!关于半桥变换器两个开关不能同时导通的机理我已了解。

请问一下针对多电平变换器拓扑,桥臂上的开关管可能是4个串联或者更多,此时相邻两个开关的信号有同时为高的情况,这时驱动器的两路信号同时为高并不会导致直通的危险。这种情况下,lmg1210这款驱动在独立输入模式下可以同时输出两路互不干扰的高电平么

Johnsin Tao:

回复 Shikuan Ma:

Hi不太清楚你的连接方式,将电路图放上来看看?

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