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关于数据手册上THS3491用作驱动电路的应用图的相关问题

如图是THS3491的数据手册上推荐它用作驱动电路的应用图。图中N-MOSFET的源极接在了最高电位+Vs,而THS3491的最大输出也是+Vs,并通过2.49Ω电阻连接到N-MOSFET的栅极上,那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压,那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了?类似的道理,图中的P-MOSFET也存在这样的情况。那么这个电路根本就无法正常工作?所以想请教一下这个电路的工作原理。

Amy Luo:

您好,
感谢您对TI产品的关注!我再确认一下这个问题

Amy Luo:

您好,
图中是MOSFET的漏极接在+VS上,而不是源极,MOSFET的源极连接的是具有接地基准的变压器。
该推挽电路的N-Mosfet将在信号的正半部分导通,而P-Mosfet将在信号的负半部分导通。在0.7V左右的区域,由于内部二极管正向偏压,两个FET都不导通。这就是交叉失真发生的地方。

user6468664:

回复 Amy Luo:

好的。进一步请问一下,修改电路后,推挽电路N-MOSFET漏极接+Vs,源极接变压器,在N-MOSFET导通时,栅极为高电平,源极也为一个正的电位,此时P-MOSFET的栅极为0,漏极接-Vs,那么P-MOSFET不是也有导通的风险了吗?即,在电路正常工作时,推挽会不会有直通的风险?

Amy Luo:

回复 user6468664:

我对这个电路是怎样工作的感觉也有点问题,我正在确认中

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