TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:THS3491
如图是THS3491的数据手册上推荐它用作驱动电路的应用图。图中N-MOSFET的源极接在了最高电位+Vs，而THS3491的最大输出也是+Vs，并通过2.49Ω电阻连接到N-MOSFET的栅极上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，图中的P-MOSFET也存在这样的情况。那么这个电路根本就无法正常工作？所以想请教一下这个电路的工作原理。
Amy Luo：
您好，
感谢您对TI产品的关注！我再确认一下这个问题
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Amy Luo：
您好，
图中是MOSFET的漏极接在+VS上，而不是源极，MOSFET的源极连接的是具有接地基准的变压器。
该推挽电路的N-Mosfet将在信号的正半部分导通，而P-Mosfet将在信号的负半部分导通。在0.7V左右的区域，由于内部二极管正向偏压，两个FET都不导通。这就是交叉失真发生的地方。
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user6468664：
好的。进一步请问一下，修改电路后，推挽电路N-MOSFET漏极接+Vs，源极接变压器，在N-MOSFET导通时，栅极为高电平，源极也为一个正的电位，此时P-MOSFET的栅极为0，漏极接-Vs，那么P-MOSFET不是也有导通的风险了吗？即，在电路正常工作时，推挽会不会有直通的风险？
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Amy Luo：
我对这个电路是怎样工作的感觉也有点问题，我正在确认中
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user6468664：
好的，若有进一步消息麻烦予以告知，谢谢！
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Amy Luo：
您好，我认为这个电路是不能正常工作的，推挽级可以由一个PMOSFET和一个NMOSFET组成，但两个FET的门极应该连接在一起，并且应该由相同的信号驱动，如下面链接最后一个电路：
www.electronics-tutorials.ws/…/tran_7.html
下面的链接可能对您有帮助：
reviseomatic.org/…/Push Pull MOSFET Amp.php
www.petervis.com/…/mosfet-push-pull-amplifier-circuit.html
