TI中文支持网LM5576MH/NOPB老化时芯片损坏，实际情况如以下描述，请各位帮忙分析一下一般有哪些原因造成？谢谢。
LM5576MH/NOPB 硬件设计为24V/2A输出； 输入电压范围40vdc-60vdc(由16节锂电池供电）
做了4块样机分别单独进行老化测试（老化测试时会对锂电池进行充放电操作），其中一块LM5576MH芯片损坏（LM5576MH的SW、IS引脚对短路），更换芯片后能正常工作。硬件设计电路如下,请各们帮忙分析一下，谢谢
user4998442：
整个电路只损坏了LM5576,其它元件都没损坏。有怀疑是外部锂电池充放电时或继电器开关时，导致有浪涌电压输入，但是电路前端的压敏电阻、TVS管都没有损坏。也有怀疑是过热导致LM5576损坏，但这个芯片是有过热保护功能的，应该不会是过热导致损坏。请各位大侠帮忙分析一下，还有哪些原因造成了LM5576电源芯片损坏，谢谢
Johnsin Tao：
回复 user4998442:
Hi负载如果是电池，电池那边电压是否会反灌入电源芯片输出，如果在操作中有，是可能导致芯片SW脚损坏。
user4998442：
回复 Johnsin Tao:
Hi Johnsin负载不是电池，负载主要用来板子内部供电及外部24V继电器驱动,而且继电器线圈端其实是并接了一个反向电压吸收二极管的。其LM5576的输入端是由锂电池供。 5576的SW、IS引脚对地短路是其内置的MOS管被击穿了吧。 这个内置MOS管能被击穿可能是过压、过热、过流是吧，但其它元件都没有损坏，那有没有可能是5576及其外围元件虚焊导致lm5576损坏呢？
user4998442：
回复 user4998442:
有没有可能是开通继电器的时候瞬时大功率，使5576内置MOS管过流损坏？
