UCC21520DW 驱动 SIC C3M0065100K，400V输入下自举二极管、自举电容损坏，芯片 VDDB、OUTB、VSSB三个管脚短路，是什么原因呢？

采用芯片规格书中推荐电路，用于驱动移相全桥逆变，如下所示：

器件选型说明如下：

1   VDD为19V；

2   Rboot=2.2Ω，Dboot型号为US3M，超快恢复二极管，耐压1000V，3A，1.8V；

3 上管自举电容 Cboot=1uF，下管Cvdd=1uF；均为陶瓷电容，型号GRJ21BC72A105KE11L，X7S，100V，±10%，SMD0805；

4  Cz=1uF，型号同3，GRJ21BC72A105KE11L；

5  Vz 型号 BZT52B3V0-E3-08 ，3V；

6  Vz、Ron之间串联5.1Ω电阻；Ron=5.1Ω；无Roff ； Doff 型号为 MBR130T3G，30V ,1A；

7  Rgs=10kΩ，Rgs并联1nF电容；

8  开关管为sic mos，型号C3M0065100K 1000V  35A；

故障描述如下：

1  逆变输入电压370V时，系统运行10分钟，驱动无问题；

2  输入电压增加到400V时，系统运行约4分钟，驱动电路出现故障，损坏现象如下：自举二极管被击穿短路，自举电阻开路，VDDB、OUTB、VSSB三个管脚短路；

3  损坏4次，都是同一个位置的UCC21520DW，其他路UCC21520DW 均正常；其中一次是VDDA、OUTA、VSSA短路；另外三次是VDDB、OUTB、VSSB短路；

问题：

1  关于自举二极管，是最好使用SIC 肖特基才可以吗？尝试US1M、US3M超快二极管均无效果；规格书中推荐型号为C4D02120E，耐压1200V，sic肖特基二极管。

2 是否可能是UCC21520 引脚负压导致损坏？用高压隔离差分探头测试 VSSA 负压尖峰为-2.6V，规格书中引脚电压为-2V~VDD+0.3。

3 如果器件有推荐选型，请推荐下，谢谢！

KW X：

建议先测下SW点波形。

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user5602535：

400V电压下，带载测试SW点波形如下，测试点为VSSA、VSSB，高压隔离探头。

第一张和第二张为测试中未损坏驱动的SW波形，最大负压-34V，；第三张、第四张为测试中损坏一路驱动电压波形，最大负压为-40V)

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Johnsin Tao：

Hi你提到的-34V, -40V是指哪个负压？有可能是VDD对VSS电压过压导致的，建议你用示波器测试确认下。

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user5602535：

——你提到的-34V, -40V是指哪个负压？

是SW(测试点为VSSA)相对VSSB 功率地的负压尖峰；-34V是未损坏的驱动芯片的负压尖峰，-40V是损坏的驱动芯片的负压尖峰。

——有可能是VDD对VSS电压过压导致的，建议你用示波器测试确认下。

下管，VDDB对VSSB波形如下，尖峰分别为26.2V和10.8V

上管VDDB对VSSB波形如下，尖峰为35.8V、5.8V

规格书中VDDA、VDDB电压范围是9.2V~25V，尖峰电压超过了25V，导致击穿了吗

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user4830168：

@user5602535请问一下，您的这个问题解决了么？我们目前也遇到类似问题，求教，谢谢

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Johnsin Tao：

Hi先确认是否是示波器测试问题。其次确认电源供电GND，不建议选择电功率电流的GND.

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yongbing nan：

同样出现该问题，请问解决了吗？