TI中文支持网您好：
这边的应用是：固件烧写时会有初始的参数数据（INT16_T) 和 信息数据（string），运行中会有修改这些数据，掉电后不能丢失
目前调试了OADUAPP的例程和NVSinternal例程两个，有一下几个问题：
1：OADUAPP例程的NVS有两个，两个的REGION TYPE是generated和pointer分别应用上有什么区别？这两块分别对应UAPP和PAPP？还是固件区/用户数据区？
2：OADUAPP例程的这个Region Base是否可以按照固件大小修改？
3：NVSINTERNAL例程的region base地址0x10000是否是用户希望的flash使用区域的起始地址？
4：OADUAPP例程中，nodetask.c里有如下代码实现擦除页后，从NVS起始位置实现三个数据的写入：
/* Write the node and server address to NVS*/
NodeStorage_eraseAll();
status = NodeStorage_writeStartSeq();
status |= NodeStorage_write(NODESTORAGE_NODE_ADDR_OFFSET, &nodeAddr, 1);
status |= NodeStorage_write(NODESTORAGE_SERVER_ADDR_OFFSET, pDstAddr, 1);
在nvsinternal历程里，也有页的擦除和字符串的写入 NVS_WRITE(…….),这里我加了一个NVS_WRITE(……),从代码上看，跟oad历程相似，可是为什么这里只能写入一个字符串？必须擦除后才能写另一个字符串？
请问NVS的擦除必须是按页擦除吧？写入是只能一次写入（如nvsinternal历程）还是可以多次指定offset写入（如oad例程）？写入前必须做擦除操作吗？
谢谢！！
Viki Shi：
需要跟同事讨论一下，后续再来回复
Viki Shi：
OADUAPP是哪个例程，off chip OAD？
1、Generated指：an internal flash region is automatically generated
Pointer指:provide a pointer to the memory location to the predefined internal flash region
2、可以通过sysconfig修改，见下图
3、这是默认地址，可以如2修改
4、NVS_WRITE是写入flash，使用flash时，每次擦除后只能写一次，也就是说，变量无法持续更新。 描述不清晰，重新表述如下：
如果一个变量已经写入过，要再次写入【更新此变量】，那只能擦除后再写。但是不同的变量可以用nvs_write多次写入
user4461669：
回复 Viki Shi:
Viki您好，关于第4点，我用的OADUAPP是rfWsnNodeIntFlashOadClientUApp例程，工程里nodetask.c里第220—226行，应该是擦除页后写入三个数据，相当于连续调用三次NVS_WRITE函数，是这样的吗？谢谢第二点的附图没看到
Viki Shi：
回复 user4461669:
我更正了一下上面问题4的表述，请查看详情，图片已补充：
