DRV8308驱动IRF3205S

电机24V，630W。

全桥中每个桥臂用一个IR的IRF3205S。这款MOS的Qg（total gate charge）为146nC。

DRV8308的配置为：

但发现电机负载力矩上去时，MOS管的发热异常严重，且转速下降异常地快（相比以前用IR的IR2136和相同的MOS做过的方案）。

测量FGOUT管脚和某一相高边管的门极电压如下所示（先是空载，后是带载）：

测量过FAULTn电压是4.98V。

可以看到高边管的门极电压根本没有一直保持在34V左右，而是（带载时）降到0又重新回到34V。但明明MOD120设为了0x800，SPEED也是0x800。占空比应该是100%啊。

按说DRV8308的峰值驱动有15us，130mA，比146nC已经大了有10倍以上。为什么还会这样呢？

Wilson Zuo：

应该是带载后电流上升触及了电流保护点，芯片产生自动的PWM电流限制动作，这个可以在芯片参数中设置。

wenwei xuan：

回复 Wilson Zuo:

非常感谢您的提示。
我重新看了一下说明书。
之前Faultn是用万用表测的，看来得用示波器看，因为Fault可能，或者读0x2a的错误码出来判断。
我试试。有什么结果再反馈回来这里。

wenwei xuan：

回复 Wilson Zuo:

原来的Risense用的是8毫欧的，按current limit的参数(0.25V)来看，电流也得到30A左右才触发current limit。不过确实如您所说，这表现应该就是触发了current limit，如说明书所说“If current limit activates, the high-side FET is disabled until the beginning of the next PWM cycle”，表现出来就是高边管即使给定占空比是100%，但也还是产生了50kHz的PWM

把Risense换成2毫欧的之后，确实负载能够正常加上去，并且MOS不再严重发热。