TI中文支持网如题.我上次的电流设计只能到2A电流,用的是54260,现在想改成40060不知道行不行.
大神们…我爱TI,我爱你们.告诉我吧.
wei wang1：
不知道你是如何计算的，我粗略算了一下，开关损耗也不过0.5w左右，MOS管导通内阻按照50mΩ计算的话，导通损耗也不到1W，而实际导通内阻会远小于这个数吧？
yang liu1：
回复 wei wang1:
这个..我按照他上面的公式.
一步一步的算.
手册上面说是3.3V+-2%, 我就改为40+-2%.输入 46-50V .
然后T(on) 的时间也是400ns 发现频率需要1764K了.
然后就越来越大..my god
wei wang1：
回复 yang liu1:
第几页的公式？我没用过这个IC。可以一起学习。
yang liu1：
回复 wei wang1:
奥.在21页.我按照他的设计步骤,一步一步的来..
Jacky Ke：
一般HS PMOS没有fully turn on才会发生，楼主可以测一下high side 的gate drive电压，reference到VIN的差，一定是比较小的，这样Rdson会很大。我怀疑是off的时间太短，BPN10上的电容的hold能力不足够以提高drive,可以confirm一下，通过测试。
wei wang1：
回复 yang liu1:
我估计你的问题出在了频率设计这里，你电路的频率是可以由你自己设定的，在例子里，由于输出电压太低，占空比很小如果选择频率过高上管导通时间将很小，会小于技术规格书里那个电流延时（大概是这个意思，没细看）也就是说MOS管导通必须有一个最小时间，不能小于330nS,所以他才根据这个指标来设计的频率（如果他选择频率150K，占空比0.058,导通时间将只有280nS也就小于330了）而对于你来说不存在这个问题，你输出电压很高，最小占空比也很大，所以你选择100K还是200K都是可以的，这个由你自己决定。然后你再去计算上管的损耗试试。
不知道我说的你是否明白？
yang liu1：
回复 wei wang1:
奥.我现在在重新看手册下.到时候不懂继续请教你哦.谢谢你.
wei wang1：
回复 yang liu1:
没问题，共同学习共同进步
