TI中文支持网请教TI专家，用UCC28950做全桥移相软开关，对全桥MOS管驱动信号的上升和下降时间有没什么要求（我用驱动变压器驱动信号上升时间为245ns，下降时间为150ns），还有死期时间是不是不能太大了。我按照ucc28950DEMO板资料设计的12V50A输出。但输出电流加到5A以上是前桥MOS管开始发烫很厉害。请问这该怎么解决。谢谢！
Osial：
请问245ns和150ns是测试的功率MOSFET上的栅极上的上升下降波形吗？请注意，从Datasheet上看，UCC28950的drive能力只有0.2A，典型的FET RDSON为10ohm，如果驱动比较大的MOSFET，就会出现你这种情况, 开关损耗比较大所以MOSFET会比较烫。一般的上升下降时间在<10ns.
Richard Li：
驱动上升时间由驱动能力和选取MOS的Qg相关。死区时间选取在MOS开关能实现ZVS为宜。
MOS管热的原因你可以检查一下：
1. 你的开关频率多少
2. 观察波形是否谷底开通
