TI中文支持网我用LM25010做了一个DC/DC转换器，输入24V，输出12V 1A，参考WEBENCH的设计，如下图：
pcb如下图：
电感用的是TDK的SLF12555 100mH，二极管是B240A。
在120mA负载时，测试的波形如下：
输入端：
输出端波形（1ohm电阻之前）
输出端波形（磁珠之后）
我们用自制的一个噪声测量设备测试这个电路的传导噪声还是很小的，对于我们的应用没有问题，但发现辐射噪声比较大（我们测试400~500Mhz)，距离测试天线越近噪声越大。一点点遗憾的是没有办法给出具体指标，现在只能说对我们的设备影响较大。
这里请专家帮助指导下，该如何改进？
顺便说下，我用LM2596测试就很好的，不过效率比较低，特别是轻负载时。
我的email：huhuhu_1@163.com
电话：13715367179
Osial：
参考下面的文章，降低SW的Ringing可以有效降低辐射。
Ringing Reduction Techniques for NexFETTM High Performance MOSFETs
Max Han：
可否将你做EMC的实验结果贴出来
常用办法输入加共模电感试试
huxun tan：
回复 Max Han:
不好意思，我们没有暗室进行规范的测试，是使用一个自制的无线模块来测试噪声场强的，天线的带宽也不够大，400~500MHz，不过已经能够覆盖到我们需要的频段。
测试数据是与电池供电进行对比的，当使用LM25010制作的电源供电时，噪声水平比使用电池供电时大了5~23dB，距离5~50mm之间，距离近噪声大。
关于共模电感，我们在输入端使用了一款村田的滤波器，1MHz~1GHz之间衰减能到40dB以上，但对于辐射噪声没有什么效果。
tao smith：
回复 huxun tan:
HI
注意一下板子的布线，甚至增加磁珠，也应该是有效果的。
huxun tan：
回复 Osial:
谢谢你的提示，我根据该文档的描述对电路进行了分析，觉得元件布局也还算可以，bootstrap功能ic也都已经有了，这两项都是减少ringing的方法，可ringing仍然严重。
现在还是不知道问题在哪里。
接下来准备增加个rc吸收回路，看看效果是否有改善。
另外，请帮忙分析下，功率电感放到IC的正下方是否合理？
huxun tan：
回复 huxun tan:
现在开关点的ringing现象并不严重，倒是输入端ring非常厉害，我增加了一个磁珠，有改善，但辐射噪声依旧那么大。
Neil Li：
回复 huxun tan:
控制IC尽量不要放在功率电感的正下方，存在干扰的问题。
当然，如果PCB板中有1层以上的地平面，是可以放置的。
Coffee Ge73：
回复 huxun tan:
高频的话共模的可能性大一点，输入端可以考虑加一级滤波
Coffee Ge73：
回复 Neil Li:
电源是否带外壳？如果是两层板，控制电路尽量不要放在功率回路中
huxun tan：
回复 Coffee Ge73:
现在看来这个电路是搞不定了。
是不是用开关管取代肖特基二极管的同步DC/DC转换器的emi性能会更好？比如LMR24210。
