TI中文支持网输入电源 57.4V，
输出12.5v，加载后电流195mA
原理图
LAYOUT图
目前测试已烧毁 14PCS，约
13-6 1PCS
13-6-2 5PCS
13-5 1PCS
13-2 3PCS
12-3 5PCS
可否询问一下，这样的设计是否那里有问题呢？谢谢。
joseph1：
回复 KW X:
所以您所说的，是US1G的reverse recovery time不够快吗(trr 50ns)，它的电压400V应该是没有问题吧，
改快于原厂TI 是用萧特基(并接当快速二极管用) trr 35ns，才有可能改善吗？
KW X：
回复 joseph1:
亲；这种故障与参数有关；也可能与PCBlayout有关，我无法确定全部问题。换二极管有助于判断问题。
joseph1：
回复 KW X:
感谢您，我直接比对原厂的AN-1352 LM5010 Evaluation Board的测试样板，如同您说的，可能为US1G，
因为整个电路中，就此颗组件配置不同，另外也有看到其它数据，增加R5，使受限的负载可正常输出，
但这个我就没试的，我主要就是一开发，一加载，就烧毁情况均多。
因为没有原厂规格，所以先更换一颗SK220B 200V 2A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers，来测试。
果真，将US1G装上时，就烧毁，换了SK220B，都可正常作动，可能为反向回复电流造成和EMI噪声造成IC烧掉。
但我还是要多测试过。
感谢。Xp兄。
yingxin chen1：
14PIN是什么PIN，线路图上没看到，你还是先测试下波形看看。
joseph1：
回复 yingxin chen1:
此颗IC，原厂有两个封装版本，10PIN和14PIN，我的意思是指这个。
joseph1：
回复 Johnsin Tao:
hi johnsin .
经您的说明，我再次去测试，仍还是符合规格设定的耐压范围，也无较高压产生。
唯一会有高压产生的，就是将D4 US1G 调整为萧特基 200V2A 量测SW点，
就会产生PWM切换达到降压的功能(平均电压约12.5V上下)，最后约68V，也无超过，
此时就没有再产生烧毁的问题，若再换回US1G，一样送电，加载LM5010就挂了。
joseph1：
回复 Johnsin Tao:
您说的是，D4这颗要调有为萧特基或是更快的trr时间更短的快速二极管吧！
应该D1是不影响到此电路的。因为这也不是TI最后设定有的前段电路。而是后加的。
