驱动芯片

因项目需要，想达到一个220v峰峰值的占空比输出，现后端的mosfet管选择了高速开关管，输入电容约360pF，开关时间30ns左右，但前端PWM信号驱动能力不够，想寻求一款驱动IC，使0-200v的上升时间在100-200ns。非常感谢

Johnsin Tao：

Hi    如下，见低侧驱动芯片： http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/power-management/low-side-driver-products.page#p480=1

    这类芯片规格上一般是驱动信号上升时间，而非输出电压，具体需要依据你的电路你来验证。

     

KW X：

亲；这个项目；需要的是高匹配半桥驱动器，仅算上升沿；要求不算很高。也无需高速MOSFET。不知下降沿有啥要求。建议看看IR2110。