芯片55340-EP在最大输出电压时总会被击穿，内容如下

我使用55340芯片搭建32V升38V为什么芯片的NMOS总会被击穿啊，负载为50Ω，输入为两个47UF并联，输出电容为22uF，不是二极管和电感的原因，直接插电源的时候，多插几次就被击穿了。是不是电容不够大啊

user4949154：

回复 Vental Mao:

谢谢你的建议，我试过你提出的方法了，输出36V时，不加RC电路峰值为41.4V，加了以后输出36V，峰值电压为39.6V，我想问一下我可以把电容电阻值加大一点吗？我需要实现38V输出。峰值电压小于40V

Vental Mao：

回复 user4949154:

RC值可以根据你的需求修改，当然最根本的解决方法是修改PCB版图

Johnsin Tao：

回复 Vental Mao:

HI 

   "直接插电源的时候", 相当于是硬开关，这个时候输入会有很高的震荡电压，叠加在你本身32V的输入上，很容易过压烧掉芯片。

   一般这种情况下需要用到热插拔。

user4949154：

回复 Vental Mao:

这个电容和电阻的选取是怎么计算的啊？我选取6800PF，2.4ohm，结果峰值发表电压还没降低，能把计算公式说一下吗？

Vental Mao：

回复 user4949154:

见附件

user4949154：

回复 Vental Mao:

你好，我刚才试了RC电路，R=2Ω，C=9000pF,当我输出电压为38V时，SW的峰值电压为39V，输入电压为47uF，但是我输入电压为32V阶跃上电时，芯片仍被击穿，可能是什么原因啊？具体有哪些啊？我30V升36V时芯片可以阶跃上电不 被击穿，此时峰值电压为37V。这个芯片是不能达到38V吗还是什么其他原因啊?

Vental Mao：

回复 user4949154:

你是带载上电么？带载上电时，由于电感会产生电压突变，就会有很大的ring，造成击穿，建议提高SS管脚电路，减缓启动速度。

可以输出38V，但是管子40V，裕量太小，容易损坏

user4949154：

回复 Vental Mao:

是的，输出接了100Ω，那个软起动我是按照典型应用给的加在上面的，Css=47nF，我不知道这个芯片的计算方法，只按照电容的充电时间公式计算，得出为14ms，但是通过示波器捕捉阶跃上电时，输出波形显示实际只有4ms不到，是软启动的原因吗？

Vental Mao：

回复 user4949154:

你用100nF的电容试一下，降低启动速度。具体原理可以参考数据手册的soft start章节