TI中文支持网查看了很多款功率NMOS，比如CSD87313DMS、CSD13385F5等型号，参数列表中只给出了VGS=4.5V、VDS=6V、IDS=0.9A等固定值情况下的栅极电荷量，当我的MOS工作状态不在这个情况下，我不知道我的驱动电路瞬间电流能不能驱动NMOS打开，这时的栅极电荷量该怎么计算呢？有计算公式或者工具吗？
Johnsin Tao：
Hi
MOS是电压驱动型控制，只要Vgs>Vth, MOS就能打开，重点在于打开的速度，对于开关电源的MOS选取而言，一般选择Qg尽量小的MOS，这样启动较快。
Qg看datasheet:
Guangtian Wei：
回复 Johnsin Tao:
那NMOS的最大工作电流是怎么确定的呢？在开关电源中Ids可通过的最大电流值会随着我驱动电压的变化而变化吗,线性区电流公式Ids=μCoxW/L*(vgs-vth)Vds-0.5Vds^2.还适用吗？
Sam Zhang(MCP)：
回复 Guangtian Wei:
Hi,
你说得对，我刚才应该是说错了，我仔细想一下再来和您讨论。
另外还是想请问，这个共漏极双NMOS是用来做双向保护的吗？谢谢
Guangtian Wei：
回复 Sam Zhang(MCP):
您好，我跟您理解的不一样。在开关电源中，功率器件，比如功率MOS，它就是当作机械式的触点开关的作用，应该工作在可变电阻区，这时候的Vds很小，P=Ids*Vds，所以从导通切换到关断、关断切换到导通的瞬间功耗，以及导通期间NMOS的功耗不会很大。如果工作在饱和区，Vds就是伏特级别的，那功耗太大，不是开关电源拓扑想要的结果。例如BOOST拓扑结构，输入纹波电流的计算ΔI=(VIN-0)DT/L， 这个公式中明显忽略了Vds，说明它很小。
Guangtian Wei：
回复 Sam Zhang(MCP):
很惭愧，功率共漏双NMOS的作用我也不清楚。
Vental Mao：
回复 Guangtian Wei:
对于开关电源中，MOS的功耗主要是在开启或关断的这段时间内，MOS恰好是出于可变电阻区。当管子打开之后，MOS是处于线性区，这时候的电阻最小，所以压降很小
Guangtian Wei：
回复 Johnsin Tao:
您好，CSD17585F5的datasheet只给出了Id=0.9A、Vds=15V时候的栅极电荷量，如果Id和Vds不是这种情况下的栅极电荷量是多少？比如Id=3A,Vds=10V
Guangtian Wei：
回复 Vental Mao:
当MOS打开之后不也应该是深线性区吗？如果处于饱和区，VDS最小也等于VGS-VTH，VTH一般1V左右，如果要把NMOS驱动起来能够走大电流，那VGS至少比VTH高2V左右吧，也就是VDS=2V，那开关导通得消耗太多的能量了。
Vental Mao：
回复 Guangtian Wei:
之前解释的不正确，开启后是出于线性区，电阻为定值
