TI中文支持网请帮忙确认SLVA209文档中 TPS61040 180V at 4mA方案的稳定性和可行性，主要帮忙分析MOSFET导通时SW承受的电压和标称电压相关风险，谢谢
目前使用SLV209中的TPS61040 180V方案
一种分析，SW的承受电压是28V，但是MOSFET导通时，二极管阳极的一个脉冲电压直接导通到SW端，该脉冲电压的最大值达到179V左右。尽管DC很小，但是本人还是担心有一定的风险。
该电路的另一种分析，Q1导通，Q2 s端拉低，Q2导通，Imosfet为流过Q2 ds,Q1 ds,R1的电流。Vsw=Imosfet*(R1+Rq2dson)，而Imosfet max=0.4A(OCP current),Rq2dson=1ohm,so Vsw=0.4A*(R1+1ohm)=0.4*R1+0.1V，这个值的大小取决于内部电阻Rsense 及如图R1。Rsense TPS61040和SLVA209中没有提到具体的值。Rsense 取值应该很小，所以Vsw会很小，大部分电压差在Q2 ds端。
以上两种分析第二种分析更科学。希望有更专业的人来确认该方案的稳定性和可行性，谢谢！
Johnsin Tao：
HIQ1/Q2是同开同关，当同时导通时，SW脚电压很低。当同时关闭时，SW脚电压主要是由外部MOSQ2承担。
Jing Ji：
第二种分析更加科学， Q1先导通，然后Q2导通，不会存在第一种分析的风险。
因为Q1导通，所以不存在SW过压的风险。
Vental Mao：
只要管子一导通，SW节点电压就接近于地，而当管子关断时，主要是Q2承受高电压，可以到180V+Vdiode，所以选用高耐压的SI9422管子
