TI中文支持网当前M1最近小试产400套控制板的DC-DC_12V模块存在以下问题：
DC-DC_12V模块附图：
1、开关机操作不超过10次（有些板卡甚至初次上电）即烧毁LM5088芯片；本现象100%出现；
以下图片1（侥幸未烧芯片时捕捉图片）、图片2、3（烧芯片瞬间捕捉图片）为输出TP27波形，图片4为R19两端电压波形：
图片1：
图片2：
图片3：
图片4：
经排查实验发现，通过以下两种方法都可以避免LM5088烧毁情况出现（至少目前开关机1000+次后仍未出现）：
1、去掉D96二极管；
（D96二极管作用：使用外部VCC_12V给LM5088内部逻辑供电，避免LM5088内部LDO工作，以减少LM5088的发热量；实验发现，存在D96时LM5088温度60℃左右，去掉D96后LM5088温度80℃左右）
2、Q3位号MOS管型号更换为BSC060N10NS3G；（当前400套用料实际型号为BSC070N10NS5）
更换为BSC060N10NS3G后，图片5为输出TP27波形，图片6为R19两端电压波形：
图片5：
图片6：
其实本控制板在本次400套之前已经试产过100套，也已经出货，且未发现存在以上开关机烧毁LM5088问题：
（注：由于物料采购交期问题，较前100套，本次400诸多物料存在变换品牌、变换供应商、甚至变换型号问题：如本模块的Q3 MOS管由原来BSC060N10NS3G替换为BSC070N10NS5、C21电容变换品牌、L1电感由原CDRH129HF-680MC替换为CDRH127L125NP-680MC）
前100套相关电压波形如下，图片7为输出TP27波形，图片8为R19两端电压波形：
图片7：
图片8：
通过以上对比：
1、本次400套与前100套的TP27输出电压波形没有明显区别，可以说是一样；
2、最大区别在于电流采样波形（及R19两端电压）；
3、为什么更换Q3 MOS管的型号会影响如此大的结果：1）可以说避免了烧毁LM5088；2）R19电压波形也有很大区别；
谢谢！
Johnsin Tao：
Hi从波形看芯片启动瞬间存在不稳定，有过冲，输出电压应该是有高出16V以上，而VCC的最高耐压只有16V，所以输出的过高会烧掉VCC.而将VCC与输出之间的肖特基拿掉，就不存在这种过压了。就MOS而言，先前用的MOS Qg是乎更大，可能因为这个吸收一些过压能量，所以芯片没有被烧。输出不稳定，可能是你输出电容用得过大，而反馈环路设计不好导致的，建议你重新计算确认。
Ricardo Li：
RAMP引脚接的VCC_12不太对吧，VCC_12是LM5088的输出电压，RAMP需要的电压时序应该早于VCC_12，建议按照手册接VCC引脚，并重新设计Ramp电容和Ramp电阻测试一下。
发热也感觉不正常，官方提供的参数是7A输出时LM5088的温升大致40度左右，主要的发热器件应该是外部MOSFET，LM5088的功耗不太正常，建议一并检查PCB设计。
