TI中文支持网LM3485MM制作24V转5V电源，只是带了200mA的负载外部mos管严重发热？如何解决？电路图是根据官方的软件自动生成的。目标是做成1.5A的嵌入式电源。
user4448752：
Frank Xiao：
回复 user4448752:
你好，
检查下你的PFET的Rdson是不是太大，理论上你可以使用LMR23630这种芯片来实现的，谢谢。
user4448752：
回复 Frank Xiao:
嗯我之前是使用MP1584来降压的，但是温度实在是高，所以想更换一个，LMR23630这款的发热程度大么？
user4448752：
回复 Frank Xiao:
应该不是很大，因为我后来更换了AOD409这个PMOS，32毫欧的电阻，125度的时候是54毫欧，而且本身是可以达到26A的管子。您觉得是MOS的原因么？
daw y：
回复 user4448752:
1、多热
2、有没有敷铜散热。
Johnsin Tao：
回复 daw y:
Hi
MOS选择建议是尽量小Qg，尽量小Rdson.，也建议选择有Powerpad散热的MOS（热阻小一些的）
另外MOS的散热还有注意底部是否有PowerPad，Powerpad需要足够的GND扩展散热。
就你这个条件而言，选择内置MOS的控制芯片其实更简单。
user4448752：
回复 daw y:
会热到焊锡变软，非常夸张。
user4448752：
回复 Johnsin Tao:
问题是同样原理的原来电路都没有这么高的温度.
daw y：
回复 user4448752:
温度那么高那肯定是有问题，你说的同样原理的原来电路是什么意思？你抄别人的别人的电路没问题？
user5722182：
给你电路个电路图参考下bbs.eeworld.com.cn/thread-465362-1-232.html
