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建议TI增加高边mosfet驱动芯片

做电源管理很多时候需要高边电源开关,低电压,比如低于12v,有现成的集成一体的控制芯片,电压高了比如超过50v,就只能用Pmos自己搭了,Nmos没法用。

自己搭的电路在功耗上,稳定性上,元件数量,电路板面积上都不占优势,其他公司有LTC7001这样的芯片,感觉很好。

所以建议Ti也增加这样的芯片,TI有类似的产品,但太复杂,电流限制电压限制都用不上,所以建议增加LTC7001这样的芯片,内部很简单,就是把半桥驱动芯片的低端驱动电路去掉就可以了。

KW X:

亲;你说的早已有了。高边开关分低频(长期通或断)及高频两大种类。

高频开关比较简单;自举模式就可以解决。不再详述。

对于前者;有两大类器件支持这种用法:

1)电子继电器  用光伏打法驱动高侧MOSFET。实际上;这种驱动是完全隔离的。可以在安全位置;通过逻辑电路直接操控。无需额外电源等。

典型的有:PVI1050   PVN012A  PVG612A等等

2)高边智能开关  这是种高智能高可靠零缺陷产品。内集成电荷泵及电压、电流、温度感知及保护电路,配有I/O驱动及故障回报。当然;如果愿意;也可以不理回报信息。

典型的有:BTS5008-1EKB  BTT6010-1EKB  AUIPS3316S等等

Johnsin Tao:

回复 KW X:

Hi    电源设计中单纯的只使用高边驱动的应用不多,一般的用PMOS就可以实现。

fengran zheng:

回复 KW X:

感谢回复,你提的几种产品不是ti的,光隔离的需要额外电源,太复杂,还不如用pmos。高边智能开关耐压太低,不够我用。

fengran zheng:

回复 Johnsin Tao:

以后会多的,比如电动汽车系统里边就要大量使用,另外新能源电池备份,切换,等,都需要。这种产品对TI来说不用重新开发,把半桥驱动器的低边驱动去掉就可以了,保留电荷泵和电平转化电路,开发成本为零,我用分立元件都能搭出来,但是不喜欢电路太复杂。控制mosfet通断600v的电源轨,最好还能支持两个Nmos对着用的,可以双向控制电源的通断。

KW X:

回复 fengran zheng:

光隔离需要电源?没有吧!说好的。。。

fengran zheng:

回复 KW X:

没有比控制的电源高10v左右的电源,mos管的栅极你怎么驱动? 

现在明白,你说的应该是光隔离继电器,功率太低太低了,我需要能控制几十,几百千瓦功率的,

user5805327:

回复 KW X:

同感。我们公司用的UC7100感觉这个驱动芯片的上线电压才16V,确实有点低了,使用的是11V驱动,但是经常烧芯片

Frank Xiao:

你好,

两个方式,

1. 使用半桥驱动,从90v,100v,到600v不等,LM5109B, ucc27712等。
2.使用隔离驱动芯片,如UCC21520等等,谢谢。

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