TI中文支持网为了实现一个很大的放电电流，采用将3个mos并联去充放电，
选型是CSD18540Q5B（即EVM板上的放电mos管）。
请问这种情况下，
（1） CHG/DSG的pin脚的输出能否满足3个Qg，能否驱动的起来mos？
（2） 是否应该将驱动电阻阻值选小一些，以驱动？
（3） 另外请问为什么请问充、放、预充的mosfet的g极驱动电阻分别为1k、4.02k、10k，驱动电阻的选择标准是什么？
1 从CHG/DSG的pin脚的输考虑：
请问这个原理图里，pin脚的输出是不是可以理解为是一个电荷泵一样的恒流源？那减小驱动电阻是不是无法达到增大驱动电流更好驱动的效果？
（下图为pin脚的结构、输出电气特性）
2 从mos考虑：
Pin脚的典型输出是11.5V，管子在vGS=11.5V时，Qg =50nC左右,请问能否驱动三个这样并联的mos?
（下图为mos的Qg曲线）
非常感谢您的帮助！！
KW X：
IC输出也有能力限制，并非无极限。
对于多管并联；如果考虑IC驱动能力；这是个最糟糕的方案。SO-8的MOSFET已有百安级；为啥还要并？
