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我在做一个BOOST同步整流电路时遇到了一些问题想请教一下。
当我们设计同步BUCK整流电路时，可以使用推挽电路来很好的驱动高低侧MOS管。同样的，在BOOST升压时，低侧MOS管也可以这样驱动，如下图。
但是非同步的BOOST整流在大功率工作时发热严重，且由于对电感电容的要求，体积较大。
现在我在制作一款12-22v输入，24v输出，15-20A的BOOST升压。考虑到成本和难易程度，没有使用多相交错输出的芯片。低侧MOS管使用推挽电路很好驱动，但是另一个NMOS的G极会在0-24v间变化。一般NMOS管Vgs的耐压为+-20v。要想使MOS管完全打开或关闭，G极电压变化范围在0-27v，明显会使MOS管损坏。高侧MOS管上的G极电压要根据电感之后的电压决定。所以有什么办法提高芯片驱动能力吗？
Andyzhao：
截图不是同步BOOST吧，实际线路D1这里应该是你说的NMOS，可以把这颗MOS放在低侧，这样MOS的D极是接地的
user5363159：
回复 Andyzhao:
图上是一个非同步BOOST升压 用推挽电路控制低侧mos管的示意图。同步BOOST是把d1换成NMOS，但是换过后D极和S极接的应该是电感后面和输出吧
user5363159：
回复 Andyzhao:
图上是一个非同步BOOST升压 用推挽电路控制低侧mos管的示意图。同步BOOST是把d1换成NMOS，但是换过后D极和S极接的应该是电感后面和输出吧
KW X：
这种设计即便放在远古也是错的一塌糊涂。
首先；MOSFET室温门槛电压2～4V，按3mV/C温漂计算，125C结温时；门槛电压仅1.7V。Q4 BE压降就要1V，你可以自己算下；关断瞬间能抽出多大电流？
其次；TL494 E输出也就6V上下，扣去Q2至少1V压降，本生室温Vth能到4V，Q3栅上稳态极限也才5V，你让人家如何过电流？
再次；你的电流有电流电压负反馈吗？
daw y：
浮地驱动了解一下，上官的驱动电源不可能跟输入地共地的，也就是说，你这个上官的驱动电源的地，最终时跟输出正共地的。
Johnsin Tao：
回复 daw y:
HI15~20A,选择Qg尽量小的MOS，其实勉强应该可以做的。
