为什么LM5021的CS波形会掉坑

问题1：占空比是COMP与CS比较的结果，如下分析是否正确？

Rs电流取样电阻太小，Vcs上升变缓，Tonmax会增加，磁芯会饱和；

Rs电流取样电阻太大，Vcs上升变陡，易触发CS限流，原边不能提供足够的能量，因此不能维持输出电压的稳定。

问题2：为什么LM5021的CS波形会掉坑？191229—Vin高压下VCCP12维持在8~9V分析.docx

hongjian yin：

回复 KW X:

191231—Vcs波形分析.docx谢谢您的回复。 今天发现我的VIn保护电路有问题，过压保护是三极管Q13会从放大区进入饱和区，把Vss电压箝在1.0V左右，这时Vo会抖动，具体见报告。 另外，今天还是没有弄清楚Vcs的第3个尖峰问题，具体波形见报告，请指点，非常感谢！！！

Johnsin Tao：

回复 hongjian yin:

Hi

     MOS关闭了，都又电流，只能是Mos 体二极管导通了，可以确认下？

     同时确认变压器设计，漏感是否比较大了？

hongjian yin：

回复 Johnsin Tao:

Johnsin，

     你说的MOS管的恢复电流，IPD95R1K2P7的Qrr/Trr/Irrm比较大。理论上分析第3个尖峰就是Irrm产生的，这个电流会导致磁芯饱和，大电流导致MOS管损耗。具体见报告。

后续工作：

1、咨询Infineon，IPD95R1K2P7在不同条件下的Irrm值；200101—Vcs第三个尖峰的波形分析.docx

2、选择950V，Qrr/Trr/Irrm小的管子，来测试这个波形。

KW X：

回复 hongjian yin:

首先；从你的描述看，地线噪音有点大；导致Q13误动作了。

                   建议用低Vth MOSFET替换。如：IRLML0040等。

其次；关于0.25uS电流问题。

                   对于700V等级电压；建议用1200V或更高电压MOSFET或IGBT。950VMOSFET显然有点低了；除非用BUCK拓扑。

                   由于VDS耐压偏低和自有Coss偏大；Q11在关断后；VDS电压建立过程中，MOSFET的Coss因VDS电压上升而充电。0.25uS波形就是Coss充电电流。

因此；建议用准谐振拓扑试试。

hongjian yin：

回复 KW X:

KWX，

      非常感谢您的答复，问题已经查清楚。

0.25uS波形就是Coss充电电流，MOS驱动产生的磁密后，还来不及磁恢复，Coss充电马上产生的磁密，两者叠加。200103—辅助源管子替代与磁密计算.docx在700V高压时，达到了DMR95的饱和磁密，大电流使得MOS炸掉。

     用STD5N95K3替代IPD95R1K2P7，充电电流减小为1/3，问题解决。具体波形见报告。

谢谢您的指导！

KW X：

回复 hongjian yin:

有始有终，赞一个！

hongjian yin：

回复 KW X:

KWX，

     前期LM5021-2的辅助源问题解决之后，组装了两个模块，测试中发现UCC27712驱动波形出现异常，导致模块损耗增加12W，具体见附件报告。

初步分析是UCC27712出现异常，请帮忙分析应200110—UCC27712-DRVL驱动波形异常分析.docx用电路是否存在问题。谢谢！