TI中文支持网我司在做的POE项目 PD端采用的TPS23754，电路遵照参考设计，MOSFET采用参考设计推荐的FDS2572 150V,4.9A。之前的产品没有烧坏问题，最近一批出现MOSFET烧坏的问题，不良率在2%左右。电路和用料都没做改动，量测MOS漏极电压，矩形波有126V，尖峰值会超过150V。
请问是否为PD端输出电压值过高导致，或是其他问题？谢谢！
Marvellous Liu：
你怀疑是尖峰电压导致的MOS过压损坏，这个看是看不出来的，最好对器件进行专业的失效分析，比如X-RAY照射、开封处理。
Johnsin Tao：
回复 Marvellous Liu:
HI是过压导致的，通常的输入端最高57V， 现在都到150V以上，无论是主MOS还是辅助MOS，都有风险。
KW X：
按测试；原设计（尤其是PCB）设计有缺陷。的确有优化空间。但并不威胁安全。
2％不良率多是产线工艺或物料本身出了问题。
建议按数据表测试并和以前库存做比较。
