TI中文支持网用BQ24610做锂电池充电板 充电电压25.2V，充电电流1.5A，驱动波形异常。想请教一下是不是N mos选型有问题。我的板子用的Nmos和EVM板上的都是FDS8447。FDS8447的Qg值为35-49nc。LODRV和HIDRV驱动波形如下：
都是尖波，但是手册上的波形都是方波，这个是不是因为FDS8447 Qg值过大，芯片的驱动能力不够造成的，而且发热的原因是不是也是驱动负载过大造成的。
如果是的话Qg值选多大的合适。
请TI工程师指点。
xiangqun lee：
我也在弄这个芯片，我情况比你惨没输出就没波形，哥们留个方式好联系一下吧896125671我扣扣
Johnsin Tao：
回复 xiangqun lee:
Hi
芯片也好，MOS也好，最好不要在电子市场或者淘宝上买，假货很多的。
建议你重新购买MOS再测试（可以找TI授权代理商购买）
xiangqun lee：
回复 Johnsin Tao:
场效应管应该没问题，我有单独用万用表测过
lei lei：
回复 xiangqun lee:
我的QQ 1161140840
可以互相交流一下，这个问题搞了好几天了，很头疼。
