求助，BQ24610出现芯片发热的现象。

其余功能，限流，调整电压，都可以实现，但芯片随充电电流越大发热越严重，已经烧坏了好几片了。上下MOS管栅极波形也看了，是正常的。但芯片空载时vcc输入电流达到25mA,充电电流0.7A时VCC上有50mA的电流，随之快速升温直至烧坏或保护。原理图检查没有什么问题，器件也检查过了。有人遇到过这种情况吗？

如能指教，不胜感激

原理图及PCB见附件

Coffee Ge73：

芯片thermal pad有焊接吗？

zhijun lee：

回复 Coffee Ge73:

是焊接了的，昨天做实验发现，断开自举中的二极管，直接用外部电源供电，5V，输出电流200mA，如果是内部LDO输出这个电流是肯定会发热的，现在就是没找出来这200多mA的电流在哪里消耗掉了。。因为外部供电后芯片就不发热了。但电流没有出路啊。驱动MOS管不可能这么大电流啊。

wei zhang22：

回复 zhijun lee:

您好，我也遇到和您差不多的问题？

其他的功能都能实现，就是充电的时候发热的厉害，我给6串的聚合物锂电池充电25.2V，电流也就1A，但是充电时候的芯片温度又110度了，而且室温在25度左右的时候。

在空载的时候也是有大概15mA左右的电流，芯片还有些温度，大概40度（室温25度左右）

yong shao1：

回复 wei zhang22:

你好，请问你的解决掉吗？我的也是充电时温度110度左右

lei lei：

回复 yong shao1:

你好，我最近也在用BQ24610遇到了HIDRV和LODRV波形异常的情况可以交流下吗，我的QQ 1161140840,方便的话留个联系方式吧

xiangqun lee：

回复 zhijun lee:

Qg值多少的mos管可用，40nc可行不

zhijun lee：

回复 xiangqun lee:

时间太久了，都不在公司了。也没有电路图。只记得当时典型应用里面有这个参数。或者典型应用里面有用一个mos管，我查到他的参数了