TI中文支持网现在在调试使用TI的锂电池充电芯片BQ25895，我先前按照EVM自己做了一版，使用QC3.0充电器充电电流可以到达2A左右，能够满足我的需求！
但是最近我在另外一个项目上用到这颗芯片，发现充电电流只有1A左右，并且长时间充电的话在studio上位机软件上charge fault出现热保护状态，这应该是说明芯片内部温度已经超过我设置的上限（120℃）。
检查原理图和寄存器设置和原来能满足要求的板子完全一样，PCB设计略微有点差别，但是基本满足datasheet和EVM板子上的要求。
另外我也在板子底部加散热片及铜丝加强散热还是没有改善。这颗片子对导线布局及散热处理真的要求这么高吗？我应该怎么测试调整？
这两个版本测试条件都相同，同一块电池，同一个充电器，芯片及电感也都相同。我从SYS端接入一个恒流负载，先前能用的板子当恒流负载为2A的时候，studio上还有500mA左右的充电电流，现在的板子负载为1A的时候充电电流已经为0，这到底是怎么回事啊，急急急急！！！请TI工程师帮忙解决
图1 不能用的板子原理图（跟先前能用的完全一样）
图2 充电电流不足板子的PCB布局图
图3 满足要求的板子PCB图，图中方框内为BQ25895自带的boost电路外围器件（没有焊接）
Dong Shen：
您好，
请把BQ-Studio的软件界面截图也发过来看下，最好的Field View视图。谢谢！
