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关于BQ24170 11脚TTC的三种状态的疑问

你好! 我想咨询下关于BQ24170 11脚TTC的三种状态,我对照了英文翻译,但始终没能完全理解。

目前我使用三串12.6 2600mA 锂电池,0.5A充电电流 。有以下几点不明请帮解答:

1. TTC端按照damo板设置了100NF电容,不知是否合适?

2. 对于该TTC端接入电容,存在一个预充电过程,请问这部分是在什么情况下进行的?因为我看到的是始终0.5A的充电电流。

只有在接近充满状态(五个小时以后)电流趋于变小的过程。

3. 设置低电平与高电平分别是什么样的结果?希望能结合实际帮解释一下。

麻烦能有详细的易懂的回答 感谢!

da liu1:

回复 Wu JW:

当前设置了100nF,  按照5.6min/nF ,safty timer为560min,近10小时。

也就是说充电电流无论设置多少,在充电560min后,充电电路将自动切掉输出。

以上理解是否正确?

da liu1:

回复 da liu1:

2600mAh实际用0.5A充,在5小时可以充满,而以上设置的100NF电容是否可以适当改小,有没这个意义和必要?

请帮解答 谢谢!

da liu1:

回复 Wu JW:

多谢指点!另外还有个疑问:

我的设计是参考《BQ24170 DAMO》实例来做的,其中 Maximum input current  这项参数,max值可以达到8A,这个值是有效值还是峰值?另外这个8A的持续时间

是多少,有相关参数可提供吗?而实际我这边使用时,15V输入,3A都不到(有效值电流),输入部分的2个CSD17313Q2 MOS管就发烫厉害,(mos管底部有一定

面积的铺铜扇热,但受开发成本、空间限制,没有像damo板那样大面积铺铜) ,我遇到的这个管子发热严重的现象应正常吧,帮确认下?

另外调试了十几二十片样板,使用后发现输入级的Q2容易击穿,结果导致:输出给下一级的电压下降0.5V左右,如输入15V输出只有14.5V,请帮分析这个问题可能

会是哪部分引发,是过热?是上下电切换瞬间损坏?(Q2,Q3的开启电容分别为 C9 4700PF, C6 0.047uf,同damo板。)

Wu JW:

回复 da liu1:

CSD17313的Rdson太大,建议用Rdson更小的MOS,如CSD17318Q2.

请提供一下,上电波形,冲击电压是否会过高?

C7,C8的值是多少?是否有增加过这些电容?如果有增加过,需要适当的增加C6。防止MOS管在上电过程中,超SOA损坏。

da liu1:

回复 Wu JW:

Q2 G脚启动波形参考附件,看起来并没有毛刺和尖峰。

C7,C8以及C1为Vsys上所接电容,为负载电容,我这边根据开关打开与关闭分为两种情况:

1.在不开启开关下,Vsys所接电容总计为固定500uf左右。

2.在打开开关下,上电瞬间,Vsys所接电容会在以上500uf的基础上额外增加整个系统所接电容以及电路所消耗的电流,这部分总计估算不会小于1000uf。

故尤其在打开系统开关下启动,过Q2,Q3的瞬间电流是比较大的。

按照你所述,输入级Q2、Q3 MOS管改用CSD17318会好,有一个参数望帮推荐,即C9,C6的取值改为多少合适?danmo版分别为472与473

(另外damo版的R7使用的是499K,因物料通用我这边用了470K,这部分应该问题不大)

最后有个疑问,考虑到输入级MOS管Q2 Q3以及BQ24170的安全工作电压在30V,从中来看,请再帮回复2个问题:

1. damo版的DC—in MAX电压值为多少?是否为30V

2.电路有反向DC输入保护功能,这个反向输入值多少V范围内是为安全区?

da liu1:

回复 da liu1:

附件Q2 G脚上电波形

Wu JW:

回复 da liu1:

如果SYS上有1000uF的电容,MOS烧坏是可能的,启动时的电流应该已经超出MOS管的SOA范围,请减少SYS电容,建议用几十uF的瓷片电容就可以了。

如果一定要增加SYS电容,需要延长Q2的开启时间。

da liu1:

回复 Wu JW:

这在上一贴已经回复了,减少SYS电容会安全,但设计需要考虑到实际应用,像这个电路一般会应用在几瓦–几十瓦的负载,

负载上的一些IC、功放等,这些器件电源端往往会加一些去耦电容、偏置电容,这些电容势必会达到几百uf–上千uf,

如果这个电路承受不了这样子的上电冲击,应用受到很大局限性。

另外上一贴的这个问题期待你们的解析:

——-最后有个疑问,考虑到输入级MOS管Q2 Q3以及BQ24170的安全工作电压在30V,从中来看,请再帮回复2个问题:

1. damo版的DC—in MAX电压值为多少?是否为30V

2.电路有反向DC输入保护功能,这个反向输入值多少V范围内是为安全区?

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