TI中文支持网您好，
关于锂电学习成功以后，我有几个问题想请教一下：
我针对锂电池，学习成功后状态，max error=1%,cycle count=2, update status=6;Ra table =0055
1.导出.gg.csv文件以后，将其中的cycle count 修改为0和 update status修改为2，另存为.gg.csv
2.将一片新的芯片烧写.srec,配置正确参数，选择正确的chem id（之前学习的同一ID）;
3.再将modified.gg.csv导入；
4.导出golden image
5.分别依次烧写.srec文件，.df.ds文件，.bq.ds文件；
但是芯片读出的data memory的Qmax cell 0没有更新，update status 变为0，max error为100%，甚至Ra table的值为ff55跟之前导入的modified.gg.csv不同。
请指导一下，
1）烧写完学习成功导出的golden image后的Qmax cell 0，update status ，max error，Ra table等的状态应是怎样的？
2）正确的学习成功步骤是怎样的？学习过程中还可以对data memory的参数进行更改么，会有什么样的后果？
3）文档Preparing Optimized Default Flash Constants for Specific Battery Types中要求充电完成放置2H，若只静置到VOK is cleared,QMAX cell 0已经更新，但是时间不到1H,或者放置时间为一夜会怎样？放电完成后静置5H，若放置时间为一夜会怎样？会影响golden image 的导出并烧写么？
以上麻烦解答一下疑惑，谢谢！
user5357159：
回复 Hugo Zhang:
您好，请问学习失败后可以重新进行学习吗？步骤是什么呢？谢谢
