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在使用BQ40Z50-r1 进行均衡设计时 ，有关于 内部均衡 和 外部均衡 ，在此有 以下几个问题 咨询。
0：均衡功能是在 芯片内部 MOS 打开进行还是 关闭进行？
1：采用内部均衡时 是方法一： 电压较高的电芯进行放电，还是方法二：在充电时 对较低的电芯进行充电，对较高的关闭充电。
2：采用外部均衡时，从 slua420a.pdf 文档中
将单电芯均衡开启后 的内部 阻抗设为 330欧姆， 文档中使用的是 BQ29330,芯片 ，那么BQ40Z50 内部阻抗是否也是采用330欧姆计算
330欧姆的阻抗是 A-B两端的 阻抗，还是 内部MOS C 处的阻抗。
如果时A-B端的阻抗 ，那么 从 BQ40Z50文档中 VC4 的 内部电路如下，这样内部阻抗该如何计算。从规格书中没有找到VC3,VC2 等内部电路 ，是否需要对VC4 端的 滤波电阻进行单独计算，和其它VCx 不同.
3: 从外部均衡设计中，文字的描述 ：当内部MOS 打开后，均衡电流从 CELL1 的 正极流向CELL1的负极，请问该均衡电流从哪儿来的？ 从cell2中？从芯片内部的MOS 中？
user5641093：
补充询问 在文档中 讲到 Q1开启时，1k 电阻 对电芯 分压为 0.413~0.435，这个范围值是 如何界定的
Star Xu：
回复 user5641093:
均衡是在充电过程中进行，对电压高的那串进行放电
Hugo Zhang：
回复 user5641093:
正常来说，1k电阻上的电压大概是电芯电压的一半左右。但你要用示波器观测，不能用外用表。
