TI中文支持网各位大佬，小弟有最近看规格书，有几个问题想请教一下各位
就是附件图片红框中的参数，输入电容，按照规格书的说法就是，需要给芯片供电，然后端口也要供电或者接地，在以上的两个条件下测试的输入电容值。
然后我的疑惑就是，供电是可以理解，但是端口的电平就不大理解了。首先我们用LCR电表测试的时候，是给一个信号进行测试电容，如果端口有电平（高或者低）那还怎么测试？
或者这个参数有其他的测试方法，小弟不大理解，所以想请教一下各位
Kailyn Chen：
您好，这里的Ci针对是的控制输入端的输入电容， Cio指的是A 或者B port端口的输入输出电容。
分别给出了输入和输出电压的测试条件，但具体电容值是怎么确定的，这个是根据芯片的设计，工艺，以及封装来决定的。
您看下关于Cio的标准定义：
Cio Input/Output CapacitanceTI – The capacitance of an input/output (I/O) terminal of the device with the input conditions applied that, according to the product specification, establishes the high-impedance state at the output.
This parameter is the internal capacitance encountered at an input/output (I/O) of the device. The values
that are given are not production-tested values. Normally, they are typical values given for the benefit of
the designer. These values are established by the design, process, and package of the device.
user5778413：
回复 Kailyn Chen:
好的，谢谢回复，意思是这个值并不是通过仪器进行测试得到的，是通过芯片设计人员以及做封装的工艺等决定的。
那这个值是属于仿真值吗，如果需要测试的话，需要按照规格书的测试条件来设定吗？
user151383853：
回复 user5778413:
根据芯片的设计，工艺，以及封装来的， 也就是内部芯片以及绑定线与引脚金属与外围之间的电容。
Kailyn Chen：
回复 user5778413:
您好，通过定义看到这个值是根据设计人员对于芯片设计，封装以及工艺等各个因素来决定的。 并不是量产测试的值，是给典型值。
如果需要测试的话，是需要按照datasheet中的测试条件。
user5778413：
回复 Kailyn Chen:
请问一下，你们知道这种需要怎么测试得到的吗
user5778413：
回复 user151383853:
这种电容是怎么测试的呢，用LCR电桥吗，还是有其他的设备
Kailyn Chen：
回复 user5778413:
很抱歉，我这边暂时没有相关资料来说明Ci的测试过程呢。
如果需要的话，建议通过英文e2e论坛来咨询下美国的工程师。
mangui zhang：
这些应该都是寄生电容，也就是从低电平切换到高电平的时候，上升沿肯定是比较缓的这个存在一定的时间也就能计算出寄生电容
下降沿也是一样的
