TI中文支持网LM5117 输入48V ,输出5V 15A，现在初步是电压电流都能满足，但是LM5117的温度一直很高，不用风扇散热，立马就会坏。用风扇吹 ，也是一直在100度；问下这个散热怎么处理？ 按照TI的手册建议 早PowerPAD上打孔。背面也露铜并增加焊锡。是否还有其他的手段处理这部分？
KW X：
可以增加覆铜面积。如果无处增铜；还可以装散热器啊^_^
可以在IC正面或PCB背面对应IC位置；粘接散热器，散热非常有效。
user4058727：
回复 KW X:
您好：由于空间设限制，想要芯片和MOS管都裸奔。这款片子 60W的功率输出一定要增加散热片吗？
Johnsin Tao：
回复 user4058727:
Hi四层板吗？ 如果是，用中间层的GND，一般很容易解决散热问题。双层板的话尽量表面和背面增加PowerPAD 散热面积。功耗方面，选择尽量小Qg的MOS， 频率不要太高（200k~300kHz即可），有可能话额外芯片内部LDO供电。
Johnsin Tao：
回复 user4058727:
Hi四层板吗？ 如果是，用中间层的GND，一般很容易解决散热问题。双层板的话尽量表面和背面增加PowerPAD 散热面积。功耗方面，选择尽量小Qg的MOS， 频率不要太高（200k~300kHz即可），有可能话额外芯片内部LDO供电。
Marvellous Liu：
60W的芯片稍微有点几个W的损耗，芯片小，热阻很大，导致温升严重；四层板比两层板效果好，或者使用类似于铝基板/陶瓷基板增加散热；单纯靠PCB板散热很难，单靠自然对流与辐射的方式也比较难。
user4058727：
回复 Johnsin Tao:
您好：
现在高边输出的管子选择的是TI的CSD18563Q5A，标称Qg是15nC，低边输出的MOS管选的是BSC028N06NS * 2，Rdc标称是2.8mR。但是还是发热很烫。输入48V，输出5V 8A时，整个方案的效率只有85%。很烫。问下还有其他的方案吗？额外的内部LDO供电是什么？
l蓝线为LO的波形，黄线为HO的波形。在高边MOS打开关闭的时候，低边MOS管会有振铃。输出波形上也有，地上面也有（满载的时候）。请教下这个怎么消除。
已经尝试的方案：
1，HO上串联电阻 22R
2，LO上串联电阻22R,
3,SW增加RC滤波，R 2R/10R C 2.2nF （MOS管的Coss 800pF），
4，LO下拉电阻10K。
以上。
灰小子：
回复 user4058727:
那么大功率，不加散热片和风扇，个人推荐用铝基板来做。
daw y：
回复 user4058727:
你跑的多高的频率？
user4058727：
回复 daw y:
230KHz
daw y：
回复 user4058727:
带载5A、10A的时候，与15A相比，5117的温度能差多少，他周围温度呢？85%的效率低了，有可能是周围器件对他的影响。
