TI中文支持网采用BQ24640设计给超级电容充电发现芯片在充电状态下很烫（虽然还可以正常工作，充电电流和电压也可按照要求设定），MOSFET也烫，把充电电流设定的低些MOSFET是不烫了但芯片还是会很烫，不知道是什么情况？下附几点测试情况
user5778990：
输入电压为24V，测试过的充电电流在200mA~4A，充电电压为21.3V，充电电流和电压能按要求正常设定，但不管充电电流设定为多大芯片都会烫（小指触摸不敢超过2s）,应该是不正常发热，MOSFET在低充电电流下不会烫，2A以上MOSFET管就需要加风扇散热了（mos管用的CSD18563Q5A）！
Star Xu：
芯片的thermal pad是否接地。
user5778990：
回复 Star Xu:
有接地
user5778990：
回复 user5778990:
在这不知道怎么上传图片，我怀疑我的芯片部分的铺地存在些问题
Johnsin Tao：
回复 user5778990:
Hi选择Qg尽量小的MOS,芯片底部的Powerpad需要充分与PCB板的GND铜箔焊接，并通过打孔，到中间层，以及底层的大面积GND连接。（可以看一下EVM板 layout）
user5778990：
回复 Johnsin Tao:
嗯，
好的
