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TMS320F28379D: 使用DCSM加密后,memcopy到secure ram的函数无法访问secure flash

junnan guo阅读(13)

Part Number:TMS320F28379D

我使用DCSM模块将flash和ram都设置为secure。

在初始化时,将flash api和一些函数用memcopy到ram中运行(cmd文件中也进行了配置),然而在flash重编程时发现,flash api函数依然运行错误,无法对secure flash进行操作。

尝试在flash api函数运行前进行解锁操作,程序运行正常,所以可以推断是DCSM模块的影响。

请问以上操作是哪里有问题吗,谢谢

junnan guo:

问题已解决,是因为没有配置FLSEM寄存器

TMS320F28062F: 关于TMS320F28062F的instaspin-foc例程中添加CAN通讯配置

hao hu阅读(14)

Part Number:TMS320F28062FOther Parts Discussed in Thread:C2000WARE

因为这个例程使用了Hardware Abstraction Layer库函数编写底层驱动,在control suite中找不到例程,请问,是需要自己手动编写配置的文件么,有其他的参考文档之类的不。

Yale Li:

请参考一下这篇文档:

C:/ti/c2000/C2000Ware_5_01_00_00/device_support/f2806x/docs/F2806x_DEV_USER_GUIDE.pdf

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Hao Hu:

您好,在InstaSPIN-FOC的例程中,对底层外设的配置没有使用常用的寄存器配置方法,而是封装抽象成了库的形式。在

InstaSPIN-FOCTm 和
InstaSPIN-MOTIONTm 
User’s Guide   这个文档里有讲到。

想问下您,有没有现成的例程是关于这方面的。

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Yale Li:

没有的,除了InstaSPIN外,所有的基本例程都是基于寄存器编程的。

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Hao Hu:

好嘞。太感谢您了~

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Yale Li:

客气了

TMS320F28027: 请求28027用于2kW全桥硬开关或者移相全桥的相关设计方案

ding ding阅读(16)

Part Number:TMS320F28027Other Parts Discussed in Thread:C2000WARE

Hi,all

    最近再设计2kw~3.3kW的AC/DC可编程直流电源,准备用硬开关全桥或移相全桥拓扑,请问有没有相关的硬件和软件参考资料推荐下,谢谢

Yale Li:

https://www.ti.com.cn/tool/cn/TIDM-1000

这个页面中有C2000Ware_DigitalPower_SDK中所有方案的概览:

https://www.ti2k.com/wp-content/uploads/ti2k/DeyiSupport_C2000_node

TMS320F280025C: I2C 从机例程

阅读(14)

Part Number:TMS320F280025COther Parts Discussed in Thread:C2000WARE

 Looking for a reference program to use this chip as an I2C slave

Yale Li:

C:\ti\c2000\C2000Ware_5_01_00_00\device_support\f28002x\examples\i2c–>i2c_ex1_slave

C:\ti\c2000\C2000Ware_5_01_00_00\driverlib\f28002x\examples\i2c–>i2c_ex3_external_loopback

TMS320F280039C: 用Uniflash烧录问题

Liu Jun阅读(16)

Part Number:TMS320F280039COther Parts Discussed in Thread:UNIFLASH

您好!

       我在用280039开发时,配置了flash sector0,1,2存放bootloader代码,sector3-15存放DSP 应用层代码。

       然后我用仿真器(XDS 100 V2),uniflash工具更新sector3-15的应用层代码时,卡在这个页面。

     然后我把DSP断开电源,重新上电,并烧录sector3-15的应用层代码时,烧录成功了。

    重新把DSP断开电源,再次上电,发现DSP无法通信,IO口也不会翻转,bootloader代码也没有运行。

    我们怀疑sector0,1,2存放bootloader代码也被擦除掉了。我们也检查了uniflash的配置,也没问题,烧录的范围没有选择sector0,1,2。

   所以请教一下,如果uniflash卡死,或者卡死后直接断电,会把flash所有区域的代码都擦除掉吗?

Yale Li:

应该就是uniflash卡死导致这个问题的。

但是不一定是擦除掉flash的所有区域。uniflash出问题影响了部分flash的特性已经足够影响程序的正常运行及跳转了。

TMS320F280025: 脉冲输入DSP用于触发PWM发出,在DSP内部整个延时大概多少?实际测试有150ns以上

Joey Zhang1994阅读(17)

Part Number:TMS320F280025Other Parts Discussed in Thread: TMS320F280049

TI的工程师,新年好!

背景:我们期望使用TMS320F280025/TMS320F280049应用到MHz及以上的高开关频率场合,因此对延时要求较高。

问题描述:我们在使用DSP时,采用脉冲输入DSP的比较器端口23:CMP2-HP0/CMP4-HP3,用于触发PWM产生高电平,我们尝试将该端口产生的比较结果通过其他GPIO输出,延时大概30ns,与规格书基本一致,但是将该结果用于触发PWM产生高电平,我们测试输入脉冲信号和DSP产生的 PWM信号,发现存在150ns以上的延时,这个延时对于Mhz高频场合,总周期只有1us来说太大了

咨询:因此想咨询一下是否DSP就是存在这么大的延时,还是说有更好的配置办法或方式能够减小延时,使其应用到MHZ以上的开关控制场合,期望您的答复,感谢!

Yale Li:

如果是通过这个信号路径来触发的话(CMPSS–>EPWM XBAR–>EPWM TRIP),基本上就是这个延迟。

TMS320F28P659DK-Q1: TMS320F28P659DK-Q1 PWM更新时间问题

YanChun Wang阅读(11)

Part Number:TMS320F28P659DK-Q1

TMS320F28P659DK-Q1 在 CPU1 以 200MHZ 主频计算完电流环后,更新PWM的寄存器,但执行以下程序花费了800ns,有方法加快执行吗,800ns占整个电路环周期比例太大。

HWREGH(EPWM1_BASE+ EPWM_O_CMPA+ 0x1U) = (uint16_t)compCount1;   //更新PWM1的比较寄存器

HWREGH(EPWM2_BASE+ EPWM_O_CMPA+ 0x1U) = (uint16_t)compCount2;   //更新PWM2的比较寄存器

HWREGH(EPWM3_BASE+ EPWM_O_CMPA+ 0x1U) = (uint16_t)compCount3;   //更新PWM3的比较寄存器

Yale Li:

YanChun Wang 说:但执行以下程序花费了800ns,

怎么得到的?

YanChun Wang 说:

HWREGH(EPWM1_BASE+ EPWM_O_CMPA+ 0x1U) = (uint16_t)compCount1;   //更新PWM1的比较寄存器

HWREGH(EPWM2_BASE+ EPWM_O_CMPA+ 0x1U) = (uint16_t)compCount2;   //更新PWM2的比较寄存器

HWREGH(EPWM3_BASE+ EPWM_O_CMPA+ 0x1U) = (uint16_t)compCount3;   //更新PWM3的比较寄存器

方便查看一下对应的反汇编代码吗?

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YanChun Wang:

在程序的前后反转GPIO的电平,电流环计算完成,如果不更新PWM比较寄存器是1.2us,更新PWM1,PWM2,PWM3的寄存器用时就是2us

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YanChun Wang:

反转GPIO后用示波器测量

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Yale Li:

方便的话还是查看一下反汇编代码,我们来了解一下程序的细节。单纯的修改寄存器的值是不会需要这么长时间的。

TMS320F28388D: 关于固件升级文件传输数据格式的问题

MTFT阅读(14)

Part Number:TMS320F28388D

大家好,

我目前在实现基于以太网的固件升级功能,我将工程的.out文件通过hexC2000.exe转换为了txt格式,在进行Flash扇区烧录的时候发现烧写进去的是ANSI编码格式,而实际通过烧录器烧写的是ASCII编码格式,所以当我烧写完成后运行时进入了非法中断,请问是否需要将烧录文件转换为ASCII编码进行烧写,但我在Ti基于SCI串口固件升级的例程中也没有进行格式转换,所以有这个疑问,为啥使用txt格式烧录后和烧录器烧录的数据格式不一致。

Yale Li:

我已经咨询了相关工程师,请关注下方链接:

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1326581/tms320f28388d-issue-about-the-firmware-upgrade-file-transfer-data-format

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MTFT:

你好,我补充一个问题,就是我用CCS生成Intel hex文件,查看数据发现有在Flash地址以外的数据,但这些数据无法通过Flashapi进行烧写,请问这些数据该如何烧写?

红框内表示的是地址0x00001500的数据

红框外的表示的是Flash地址0x00080000之后的数据

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Yale Li:

那边的工程师有回复了,你先看一下,我再一并跟进过去

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MTFT:

好的,麻烦帮忙回复一下

我们是基于以太网的固件升级方案,我使用CCS生成intel hex格式的升级文件,将升级文件通过TFTP协议发送给DSP进行升级,一开始我们使用上位机直接将hex文件发送给DSP,发现DSP接收的是下图红框部分的数据,所以导致程序无法正常使用。

后来才发现在将hex文件发送给DSP之前需要将hex文件转换为右边部分的数据,因为我发现例程并没有这个转换的过程,所以我以为使用sci方案升级是直接将hex文件发送给DSP。

另外我还有个问题就是我用CCS生成Intel hex文件,查看数据发现有在Flash地址以外的数据,但这些数据无法通过Flashapi进行烧写,请问这些数据该如何烧写?

红框内表示的是地址0x00001500的数据

红框外的表示的是Flash地址0x00080000之后的数据

同样,在CM也有类似的情况

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Yale Li:

好的,我跟进过去了

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MTFT:

你好,帮我回复一下。

在生成的intel hex文件中那些在flash地址以外的数据是代表需要copy到RAM的数据吗?在烧写该hex文件时是不是需要忽略这部分数据?

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Yale Li:

好的,我跟进过去了

TMS320F28386D-Q1: ADC信号检测,直接读取adc采集信号跳变约30LSB;

fazhong qi阅读(18)

Part Number:TMS320F28386D-Q1Other Parts Discussed in Thread:TL431

1,通过TL431电压基准芯片转换得到基准电压3V,示波器的测试基准电压纹波Vpp约3.5mV;

2,单端ADC模式,12BIT,未作后处理;

3,ACQPS尝试过设置为15,64,240,500等,均会无改善;

4,运放与DSP芯片之间串接电阻Rs取值100欧姆,Cs电容用过10nF和100nF等,均无改善;

5,尝试DAC输出,测试DAC管脚输出电压纹波Vpp约3mV左右;

6,示波器测试ADC管脚值纹波Vpp约5mV左右;

7,VREFLO与线路板AGND连接在一起;

ADC输入电路

参考基准电压电路

参考电压PCB走线

参考地与模拟地直连

检测到的ADC值,未经处理

ADC引脚电压纹波

请帮忙分析有哪些可能的原因会导致采集值跳变到30LSB?

Yale Li:

fazhong qi 说:

检测到的ADC值,未经处理

从结果上来看,误差在±12LSB左右。这个误差并不算很大。

请看一下zhcsjs3e_带连接管理器的 TMS320F2838x 实时微控制器 datasheet (Rev. E)第167页7.11.2.3.6 ADC 特性(12 位、单端)

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fazhong qi:

你好,我们当前就启动一个通道,其他通道软件设置未启动;看手册参数±9LSB的参数是通道之间的影响,只启用单个通道,应该也会存在通道之间的干扰吗?为什么?

系统比较苛刻,偶尔出现跳跃值影响到了系统稳定性;整体偏差软件可以校准,对系统影响比较小;

我们当前在找能够稳定采样值的方法,请帮忙推荐一些处理方法,多谢!

另外,再请教个问题,只启用单个通道的情况下,ZWT封装与PTP封装得采样值会有很大差别吗?

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Yale Li:

除了串扰之外,还存在增益误差和偏移量误差;

而且串扰在大部分情况下也是由于S-H时间不足导致的;

ADC管脚的输入信号是什么?

fazhong qi 说:ZWT封装与PTP封装得采样值会有很大差别吗?

目前还没有收到过这方面的报告。

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fazhong qi:

你好,首先感谢你的回复;

ADC输入当前接入1.5V直流信号,并且测试了纹波在5mV以内,本身要测试变频器三个相电流大小,使用了电流传感器转换成为偏置为1.5V,幅值在±1.2V的交流电压信号;现在调试阶段还未接入电机;

另外:对于S-H的设置,我们尝试了很多种值,覆盖从16到500,然而并没有效果;

还有没有什么方法可以确定采集信号跳变的根因呢?后续,想更换为BGA封装,又担心此问题仍然存在,会影响控制效果;

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Yale Li:

我已经咨询了相关工程师,请关注下方链接:

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1328251/tms320f28386d-q1-the-adc-result-jumps-about-30lsb-peak-to-peak

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fazhong qi:

你好,谢谢支持;

这个是怀疑我们的Vref参考电平纹波比较大吗?我们按照工程师建议,做了电路的修改;结果还是跟之前相同,无优化;

1)将Vref管脚的电容调整为2.2uF,将参考电压串接的磁珠去掉,直接短接供电;

2)测试Vref管脚电容的纹波,都是非常低的,Vpp大约3mV;

请帮忙分析,还有没有其他的原因会影响到采样的跳变呢?

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Yale Li:

这是他针对ADC参考电压电路给出的建议。正相反,他认为无论是较大的电容,还是滤波器,都抑制了ADC输入的实时变化,降低了耦合,这对SAR ADC来说是不适用的。

其余的我跟进过去了

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