关于TMS570LS3137的EMIF连接异步RAM问题

各位亲爱的TI 工程师，我们在使用TMS570LS3137使用了16位读写方式，连接一异步RAM芯片（MR4A16B）,EMIF_BA[1]连接至A0位，硬件电路连接依照TRM的Figure 17-8 b)框图设计。HALCOGEN中配置90MHz，16位，非页读写方式，各个cycle依照默认值，CS选择2。调试时，发现

Q：向 0x60000000地址位写入数据01 02时（C语言1条写语句，对应汇编3条语句）， 地址0x60000000~0x6000000F 值变成01 02 01 02 01 02 01 02 01 02 01 02 01 02 01 02；同时 0x60000100~0x6000010F, 0x60000200~0x6000020F, 0x60000300~0x6000030F, 0x60000400~0x6000040F, 0x60000500~0x6000050F, 0x60000600~0x6000060F, 0x60000700~0x6000070F这几位地址所在也与上方相同。

针对上述调试现象，请问有下一步建议修改或者整改思路可供参考一下吗？

Susan Yang：

请您看一下是不是踩中了勘误表内的
EMIF#4 Write to external asynchronous memory configured as “normal” causes extra WE pulses

www.ti.com.cn/…/spnz222b.pdf

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gaoyang9992006：

我觉得就是上面提到的这种问题，按照勘误说明排查一下看看能否解决。

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ting zha1：

感谢回复。

阅读了下这个勘误项，回看下halcogen中 R4-MPU-PMU的Region 5配置选择是"0x60000000"，Size：64M， type：STRONGLYORDER_SHAREABLE. permission：PRIV_RW_USER_RW_EXEC. 

甚至修改过其他几种存储器的方式，还是没效果。

-打算下一步尝试下，strobe读写的方式，除此之外，请问还有什么建议吗？

HAL1_CCS.zip

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Susan Yang：

若是可以的话，您可以去英文E2E咨询下国外的工程师 Sunil Oak 是这方面的专家

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/hercules/f/312