TI中文支持网Part Number:JFE150Other Parts Discussed in Thread: OPA210
图1是JFE150低噪声放大电路的结构，噪声仿真如图2所示，仿真结果显示，电路噪声在100Hz处为273nV@√Hz，1KHz处为261@√Hz，换算单位成dB,也就是-131.3dB@100Hz和-131.6dB@1KHz。但是实际电路噪声测试的结果如图3所示，我用的测量噪声仪器是安捷伦35670A。实际测试电路噪声在100Hz处为-122.6dB，在1KHz处为-131dB。不明白为什么100Hz处的噪声偏差这么大？希望有人可以帮助我。
Amy Luo：
您好，
您是使用EVM测量的吗？
测量时您是使用电池供电吗？建议换成电池供电以排除供电电源电路产生的100HZ干扰；或换个工作环境以避免周围有100HZ干扰耦合进来。
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mingyang zhang：
您好，我用的是keysight直流稳压电源，有没有可能是JFE150的工艺偏差导致的？
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Amy Luo：
mingyang zhang 说：有没有可能是JFE150的工艺偏差导致的？
应该不是，看下面JFE150 datasheet 噪声性能截图，在100HZ与1KHZ是差不多的，不会相差这么多。
建议您换电池供电，然后多测试几块板子看是否100HZ信号噪声都偏大？
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mingyang zhang：
您好，我按照您说的方法试了，用的是12V电池供电，也换了JFE150芯片，结果还是一样，如下图，100Hz处噪声偏大。后面我把OPA210换成AD8065，100Hz处噪声也是一样大。不明白为什么100Hz噪声比仿真的结果大这么多？
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Amy Luo：
这样看已经好了很多，使用OPA210测量时是否测量有误？因为看OPA210的datasheet 其噪声性能比AD8065的好一些在100HZ时
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mingyang zhang：
JFET作为前级放大的时候，噪声主要是由JFE150产生的，不是吗
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mingyang zhang：
现在存在的问题就是，100Hz处噪声比仿真的结果大太多了，差了快10个dB。换了电池测，结果也差不多，这可以排除电源的干扰
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Amy Luo：
mingyang zhang 说：JFET作为前级放大的时候，噪声主要是由JFE150产生的，不是吗
两级电路，测总输出噪声，不一定噪声主要是前级放大产生的。
mingyang zhang 说：换了电池测，结果也差不多，这可以排除电源的干扰
您也可以使用频谱分析仪测量电池电压的噪声，看100HZ噪声怎样？
另外，频谱分析仪底噪是怎样的？
输入信号的频谱曲线是怎样的？
看您第一幅图，其中有一个很高的频率，这个频率是多少？100HZ噪声有没有可能是这个频率的谐波？
看您第一幅频谱图和第二幅 Number参数不一样，这个是指平均的点数吗？对比OPA210 和 AD8065时，您为什么不设置一样？
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mingyang zhang：
您好，第二幅图还是用的OPA210芯片，只不过是用12V电池测的。
仪器的底噪如下图大概是-150dB，测了一下电池电压的噪声，小于仪器的底噪。
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mingyang zhang：
正如您所说的，number是指求平均的次数，30次之后曲线就趋于稳定了，变化不大
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Amy Luo：
Amy Luo 说：
输入信号的频谱曲线是怎样的？
看您第一幅图，其中有一个很高的频率，这个频率是多少？100HZ噪声有没有可能是这个频率的谐波？
以上这两点也建议您排查下
