TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

BQ78Z100,当充电MOS关闭,放电MOS打开时,P+电压为什么会高于电芯电压?

如图,两串电芯组电压为7.45V,充电MOSFET关闭,放电MOSFET导通。P+输出端为9.3~9.9摆动,放电MOSFET的驱动脚为16.8V。

若充电MOSFET导通,则P+的输出会和电芯组相同,为7.45V。

P+端的9.3~9.9V的电压没有驱动能力,连接负载就会往下掉。

这个电压是怎么产生的呢?有没有方法消除?

MENG BAO:

电芯电压高了,P+电压也会高。电芯电压变成了8V,P+的输出也变成了9.9V~10.5V,波形如图:

Star Xu:

放电MOS的驱动脚电压16.8V,放电MOS是打开状态,P+电压9.3V~9.9V,应该是10M电阻造成的,这个电压 应该无法消除。

MENG BAO:

回复 Star Xu:

TI的电量计都会有这个问题吗?

Star Xu:

回复 MENG BAO:

都有这个现象

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » BQ78Z100,当充电MOS关闭,放电MOS打开时,P+电压为什么会高于电芯电压?
分享到: 更多 (0)