BQ76200 高侧驱动问题

您好，现在我用BQ76200做了锂电管理系统 NMOS的高侧驱动， 部分原理图如下，使能端全部接到MCU ，并且全部置高（3.3V），但是输出端CHG（16pin）任然为BAT_T+ 电池组总电压53V，DSG(12PIN) 为10V左右,   PCHG 是40V（这个是PMOS驱动，看来是这个是对的）， 当时以为是我的MOS端影响到了输出，后来去掉了R194，R201，R202，现象还是一样， 测量VDDCP(PIN1) 60V， BAT 电压53V（2PIN），  后面D58也去掉了，但是现象还是一样，请帮我分析一下问题出在哪里呢？

xiaolong jia：

另外，芯片有稍微的发热

user4495410：

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将C8电容调大试试。106以上

xiaolong jia：

回复 user4495410:

您好，改了C80 为10uF, 但是现象还是一样，CHG 还是输出为53V（BAT电压）,DSG 输出 10V左右， PCHG =40V，   但是VDDCP（1PIN的电压稍微提高了一点 63V）， 请问还有其他地方需要注意吗？应该不是MCU I0电平 3.3不够高的原因吧？我看资料这里是支持MCU 对接的，其他地方感觉也没什么了，现在输出与外接的电路都断开了（那几个输出串的电阻都去掉了）

xiaolong jia：

回复 user4495410:

更换了板子再次实验换C80为 10UF（C80 =1.5UF测试确实不行）， 一切正常，感谢   yin tao peng  的解答

xiaolong jia：

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但是这个芯片会发热，而且也是比较热的，或许把R190 再加大一些？ 需要再验证一下看看