测量了一下24780 的死区时间 ,发现远大于规格书写的20ns 典型值 , 我们的板子测到的值为 80ns ,不知道是什么导致死区时间过长 , 要怎么解决 ?
我们使用24v供电 ,充电电流设为 1A , 为3s2p 锂电池 。
我测试的死区时间 为 Lodry 下降沿 到 Hidry 上升沿 之间 。
Star Xu:
您的芯片是在哪里买的?您可以申请一下样品测试看看
user4164183:
回复 Star Xu:
芯片应该不会有假吧
Star Xu:
回复 user4164183:
推荐是从正规渠道购买。
您方便抓个波形看一下吗
user4164183:
回复 Star Xu:
user4164183:
回复 user4164183:
user4164183:
回复 user4164183:
lowside mos gate也不单调,不知道咋回事
Star Xu:
回复 user4164183:
关于这个问题您可以参考下面的帖子
e2e.ti.com/…/905224